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TC51WHM716AXBN70

更新时间： 2024-01-04 05:41:53
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 237K
描述
IC 8M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 70 ns, PBGA69, 9 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, FBGA-69, Static RAM

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TC51WHM716AXBN70 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：LFBGA, BGA69,10X12,32
针数：69Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.88最长访问时间：70 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PBGA-B69
JESD-609代码：e0长度：12 mm
内存密度：134217728 bit内存集成电路类型：PSEUDO STATIC RAM
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：69字数：8388608 words
字数代码：8000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-25 °C
组织：8MX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LFBGA
封装等效代码：BGA69,10X12,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
电源：3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.4 mm最大待机电流：0.000003 A
子类别：Other Memory ICs最大压摆率：0.055 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.3 V最小供电电压 (Vsup)：2.6 V
标称供电电压 (Vsup)：2.75 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：OTHER
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
宽度：9 mmBase Number Matches：1

TC51WHM716AXBN70 数据手册

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TC51WHM716AXBN70  
TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS  
8,388,608-WORD BY 16-BIT CMOS PSEUDO STATIC RAM  
DESCRIPTION  
The TC51WHM716AXBN is a 134,217,728-bit pseudo static random access memory(PSRAM) organized as  
8,388,608 words by 16 bits. Using Toshiba’s CMOS technology and advanced circuit techniques, it provides high  
density, high speed and low power. The device operates single power supply. The device also features SRAM-like  
W/R timing whereby the device is controlled by CE1 , OE , and WE on asynchronous. The device has the page  
access operation. Page size is 8 words. The device also supports deep power-down mode, realizing low-power  
standby.  
•
Access Times:  
FEATURES  
•
•
•
•
•
Organized as 8,388,608 words by 16 bits  
Single power supply voltage of 2.6 to 3.3 V  
Direct TTL compatibility for all inputs and outputs  
Deep power-down mode: Memory cell data invalid  
Page operation mode:  
Page read/write operation by 8 words  
Logic compatible with SRAM R/W ( WE ) pin  
Standby current  
TC51WHM716AXBN  
Access Time  
70 ns  
70 ns  
25 ns  
25 ns  
CE1 Access Time  
OE Access Time  
Page Access Time  
Package:  
•
•
Standby  
Deep power-down standby  
200 µA  
3 µA  
P-FBGA69-0912-0.80B3 (Weight:0.25 g typ.)  
PIN ASSIGNMENT (TOP VIEW)  
PIN NAMES  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
A0 to A22  
A0 to A2  
Address Inputs  
Page Address Inputs  
I/O1 to I/O16 Data Inputs/Outputs  
A
B
C
D
E
F
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
CE1  
CE2  
Chip Enable Input  
Chip select Input  
Write Enable Input  
Output Enable Input  
Data Byte Control Inputs  
Power  
A7  
A6  
A5  
A4  
/LB  
/UB  
A18  
A17  
NC  
NC  
NC  
/WE  
CE2  
A20  
A8  
A19  
A9  
A11  
A12  
A13  
A14  
NC  
WE  
A3  
A2  
A1  
A0  
NC  
A15  
A21  
A22  
A16  
OE  
LB , UB  
NC  
NC  
A10  
I/O7  
NC  
NC  
V
DD  
G
H
J
GND I/O2  
/OE I/O10 I/O4  
NC  
I/O3 I/O12 NC  
GND  
NC  
Ground  
I/O5 I/O14 I/O16 NC  
No Connection  
/CE1 I/O1 I/O11  
I/O9  
V
DD  
I/O13 I/O8 GND  
I/O6 I/O15  
K
L
NC  
NC  
NC  
NC  
M
(FBGA48)  
2004-07-06 1/13  
1234567...13

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与TC51WHM716AXBN70相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
TC51WKM516AXBN75 TOSHIBA 2,097,152-WORD BY 16-BIT CMOS PSEUDO STATIC RAM

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