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TC51W3216XB-85

更新时间： 2024-02-08 03:50:34

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	186K
描述
IC 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 85 ns, PBGA48, 6 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TFBGA-48, Static RAM

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TC51W3216XB-85 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA,	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.92
最长访问时间：	85 ns	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
长度：	9 mm	内存密度：	33554432 bit
内存集成电路类型：	PSEUDO STATIC RAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	2MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.75 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	6 mm	Base Number Matches：	1

TC51W3216XB-85 数据手册

TC51W3216XB-80,-85

Deep Power-down Timing

DPD

Power-on Timing

min

CHC

CHP

Prohibition Timing

The timing shown above is prohibited.

If both OE and WE go Low coincident with or before falling edge of CE , a malfunction may occur since

devices go into test modes for internal use.

Notes:

(1)

Stresses greater than listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the

device.

(2)

(3)

(4)

(5)

(6)

All voltages are reference to GND.

depends on the cycle time.

depends on output loading. Specified values are defined with the output open condition.

DDO

AC measurements are assumed t , t = 5 ns.

WHZ

Parameters t

, t

and t

define the time at which the output goes the open condition and

CHZ OHZ BHZ

are not output voltage reference levels.

(7)

(8)

During write cycles, input data is latched on the earliest of WE , LB / UB or CE rising edge.

Therefore, input data must be valid during the set-up time (t , t or t ) and hold time(t

DSC DSB DSW DHC

or t ).

DHW

DHB

Address(A2 to A20) inputs are latched on the falling edge of CE . Therefore, addresses(A2 to A20) input

must be valid during the set-up time (t ) and hold time(t ).

ASC AHC

(9)

(10)

(11)

Data cannot be retained at deep power-down stand-by mode

If OE is high during the write cycle, the outputs will remain at high impedance.

During the output state of I/O signals, input signals of reverse polarity must not be applied.

2002-03-14 9/11

1...6 7 8910 11

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
TC51W3217XB-85	TOSHIBA	IC 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 85 ns, PBGA48, 6 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TFBGA-48, S	获取价格
TC51W6416XB-80	TOSHIBA	IC 4M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 80 ns, PBGA48, 6 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TFBGA-48, S	获取价格
TC51W6416XB-85	TOSHIBA	IC 4M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 85 ns, PBGA48, 6 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TFBGA-48, S	获取价格
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TC51WHM516AXBN65	TOSHIBA	IC 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 65 ns, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, PLASTIC, TFBGA-48, S	获取价格

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