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TC51WHM616AXBN70

更新时间： 2024-01-27 12:48:34

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		存储内存集成电路静态存储器栅
页数	文件大小	规格书
11页	200K
描述
TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

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TC51WHM616AXBN70 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA, BGA48,6X8,30	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.91
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	70 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
长度：	11 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	PSEUDO STATIC RAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	4MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA48,6X8,30
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	2.7/3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	Other Memory ICs	最大压摆率：	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.6 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.75 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.75 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

TC51WHM616AXBN70 数据手册

TC51WHM616AXBN65,70

TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

4,194,304-WORD BY 16-BIT CMOS PSEUDO STATIC RAM

DESCRIPTION

The TC51WHM616AXBN is a 67,108,864-bit pseudo static random access memory(PSRAM) organized as

4,194,304 words by 16 bits. Using Toshiba’s CMOS technology and advanced circuit techniques, it provides high

density, high speed and low power. The device operates single power supply. The device also features SRAM-like

W/R timing whereby the device is controlled by CE1 , OE , and WE on asynchronous. The device has the page

access operation. Page size is 8 words. The device also supports deep power-down mode, realizing low-power

standby.

•

Access Times:

FEATURES

•

Organized as 4,194,304 words by 16 bits

Single power supply voltage of 2.6 to 3.3 V

Direct TTL compatibility for all inputs and outputs

Deep power-down mode: Memory cell data invalid

Page operation mode:

TC51WHM616AXBN

Access Time

CE1 Access Time

OE Access Time

Page Access Time

Package:

65 ns

25 ns

30 ns

70 ns

25 ns

30 ns

Page read operation by 8 words

•

Logic compatible with SRAM R/W ( WE ) pin

Standby current

Standby

100 µA

5 µA

Deep power-down standby

•

P-TFBGA48-0811-0.75BZ (Weight:

g typ.)

PIN ASSIGNMENT (TOP VIEW)

PIN NAMES

A0 to A21

A0 to A2

Address Inputs

Page Address Inputs

CE2

I/O1

I/O3

I/O1 to I/O16 Data Inputs/Outputs

I/O9

CE1

I/O2

I/O4

I/O5

I/O6

CE1

CE2

Chip Enable Input

Chip select Input

Write Enable Input

Output Enable Input

Data Byte Control Inputs

Power

I/O10 I/O11

I/O12 A17

I/O13 A21

A16

A15

A13

A10

I/O15 I/O14 A14

I/O7

LB , UB

I/O16 A19

A18 A8

A12

WE I/O8

A11 A20

GND

Ground

(FBGA48)

2002-08-22 1/11

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
TC51WHM616AXGN65	TOSHIBA	TC51WHM616AXGN65	获取价格
TC51WHM616AXGN70	TOSHIBA	IC 4M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 70 ns, PBGA48, 8 X 11 MM, 0.75 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC,	获取价格
TC51WHM616BXGN70	TOSHIBA	IC 4M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 70 ns, PBGA48, 8 X 11 MM, 0.75 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC,	获取价格
TC51WHM716AXBN70	TOSHIBA	IC 8M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 70 ns, PBGA69, 9 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, FBGA-69, S	获取价格
TC51WKM516AXBN75	TOSHIBA	2,097,152-WORD BY 16-BIT CMOS PSEUDO STATIC RAM	获取价格
TC51WKM516AXGN65	TOSHIBA	IC 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 65 ns, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, PLASTIC, TFBGA-48, S	获取价格

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