Datasheet > TC51W6416XB-85

TC51W6416XB-85

更新时间： 2024-01-17 00:08:30

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	426K
描述
IC 4M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 85 ns, PBGA48, 6 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TFBGA-48, Static RAM

阅读下载

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TC51W6416XB-85 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA, BGA48,6X8,32	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.92
最长访问时间：	85 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	长度：	9 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	PSEUDO STATIC RAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	4MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	2.7/3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	Other Memory ICs
最大压摆率：	0.04 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.75 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	6 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...9

下载PDF

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
TC51W6417XB-80	TOSHIBA	IC 4M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 80 ns, PBGA48, 6 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TFBGA-48, S	获取价格
TC51W6417XB-85	TOSHIBA	IC 4M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 85 ns, PBGA48, 6 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TFBGA-48, S	获取价格
TC51WHM516AXBN65	TOSHIBA	IC 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 65 ns, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, PLASTIC, TFBGA-48, S	获取价格
TC51WHM516AXBN70	TOSHIBA	OCTAL BUS TRANSCEIVER	获取价格
TC51WHM516AXGN65	TOSHIBA	TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS, 2,097,152-WORD BY 16-BIT CMOS PS	获取价格
TC51WHM516AXGN70	TOSHIBA	TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS, 2,097,152-WORD BY 16-BIT CMOS PS	获取价格