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TC51W3216XB-85

更新时间: 2024-02-15 13:40:39
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 186K
描述
IC 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 85 ns, PBGA48, 6 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TFBGA-48, Static RAM

TC51W3216XB-85 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:BGA
包装说明:TFBGA,针数:48
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.92
最长访问时间:85 nsJESD-30 代码:R-PBGA-B48
长度:9 mm内存密度:33554432 bit
内存集成电路类型:PSEUDO STATIC RAM内存宽度:16
功能数量:1端子数量:48
字数:2097152 words字数代码:2000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-25 °C组织:2MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TFBGA
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.3 V最小供电电压 (Vsup):2.5 V
标称供电电压 (Vsup):2.75 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:OTHER
端子形式:BALL端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:6 mmBase Number Matches:1

TC51W3216XB-85 数据手册

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TC51W3216XB-80,-85  
AC TEST CONDITIONS  
PARAMETER  
CONDITION  
Output load  
30 pF + 1 TTL Gate  
Input pulse level  
Timing measurements  
Reference level  
V
0.2 V, 0.2 V  
DD  
V
× 0.5  
× 0.5  
DD  
V
DD  
t , t  
R
5 ns  
F
2002-03-14 5/11  

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