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TC51W3216XB-85

更新时间： 2024-02-23 02:31:29
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 186K
描述
IC 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 85 ns, PBGA48, 6 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TFBGA-48, Static RAM

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TC51W3216XB-85 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：TFBGA,针数：48
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.92
最长访问时间：85 nsJESD-30 代码：R-PBGA-B48
长度：9 mm内存密度：33554432 bit
内存集成电路类型：PSEUDO STATIC RAM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：48
字数：2097152 words字数代码：2000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-25 °C组织：2MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.3 V最小供电电压 (Vsup)：2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：2.75 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：OTHER
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：6 mmBase Number Matches：1

TC51W3216XB-85 数据手册

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TC51W3216XB-80,-85  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (See Note 1)  
SYMBOL  
RATING  
VALUE  
UNIT  
V
V
V
Power Supply Voltage  
Input Voltage  
−1.0 to 3.6  
−1.0 to 3.6  
−1.0 to 3.6  
−25 to 85  
−55 to 150  
260  
V
V
DD  
IN  
Output Voltage  
V
OUT  
opr.  
T
T
T
Operating Temperature  
Storage Temperature  
°C  
°C  
°C  
W
mA  
strg.  
solder  
Soldering Temperature (10 s)  
Power Dissipation  
P
0.6  
D
I
Short Circuit Output Current  
50  
OUT  
DC RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS (Ta = −25°C to 85°C)  
SYMBOL  
PARAMETER  
Power Supply Voltage  
MIN  
TYP.  
MAX  
3.3  
UNIT  
V
V
V
V
2.5  
2.0  
2.75  
DD  
Input High Voltage  
Input Low Voltage  
V
+ 0.3*  
DD  
IH  
IL  
*
−0.3  
0.4  
* : V (Max) V +1.0 V with 10 ns pulse width  
IH  
DD  
V (Min) -1.0 V with 10 ns pulse width  
IL  
DC CHARACTERISTICS (Ta = −25°C to 85°C, V = 2.5 to 3.3 V) (See Note 3 to 4)  
DD  
TEST CONDITION  
= 0 V to V  
SYMBOL  
PARAMETER  
MIN  
TYP. MAX  
UNIT  
I
Input Leakage Current  
Output Leakage Current  
Output High Voltage  
Output Low Voltage  
V
−1.0  
−1.0  
2.0  
+1.0  
+1.0  
µA  
µA  
V
IL  
IN  
DD  
I
Output disable, V  
= 0 V to V  
OUT DD  
LO  
V
V
I
I
= − 0.5 mA  
= 1.0 mA  
OH  
OL  
OH  
OL  
0.4  
V
CE cycling  
CS = V , I  
I
I
Operating Current  
t
t
= min  
= min  
40  
25  
mA  
mA  
DDO1  
DDO2  
RC  
PC  
= 0 mA  
IH OUT  
CE = V , CS = V  
,
IH  
IL  
Page Access Operating Current  
Page add. cycling, I  
= 0 mA  
OUT  
I
I
I
Standby Current(TTL)  
Standby Current(MOS)  
CE = V , CS=V  
IH  
3
70  
5
mA  
µA  
µA  
DDS1  
DDS2  
DDSD  
IH  
CE = V  
− 0.2 V, CS = V  
− 0.2 V  
DD  
DD  
Deep Power-down Standby Current CS = 0.2 V  
CAPACITANCE (Ta = 25°C, f = 1 MHz)  
SYMBOL  
PARAMETER  
TEST CONDITION  
= GND  
MAX  
UNIT  
C
C
Input Capacitance  
Output Capacitance  
V
10  
10  
pF  
pF  
IN  
IN  
V
OUT  
= GND  
OUT  
Note: This parameter is sampled periodically and is not 100% tested.  
2002-03-14 3/11  
1234567...11

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
TC51W3217XB-85 TOSHIBA IC 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 85 ns, PBGA48, 6 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TFBGA-48, S

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TC51W6416XB-80 TOSHIBA IC 4M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 80 ns, PBGA48, 6 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TFBGA-48, S

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