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TC51W3216XB-85

更新时间： 2024-02-28 10:54:55

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	186K
描述
IC 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 85 ns, PBGA48, 6 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TFBGA-48, Static RAM

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TC51W3216XB-85 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA,	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.92
最长访问时间：	85 ns	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
长度：	9 mm	内存密度：	33554432 bit
内存集成电路类型：	PSEUDO STATIC RAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	2MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.75 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	6 mm	Base Number Matches：	1

TC51W3216XB-85 数据手册

TC51W3216XB-80,-85

TIMING DIAGRAMS

Read Timing

A0 to A1

A2 to A20

APH

ASC

AHC

RCH

RCS

OEA

CHZ

BEA

LB , UB

I/O

BHZ

OLZ

BLZ

VALID DATA OUT

CLZ

CEA

OHZ

Page Read Timing(4 words access)

A0 to A1

A2 to A20

ASC

APH

AHC

RCH

RCS

OEA

BEA

OLZ

LB , UB

I/O

CHZ

AOH

BLZ

Dout

CLZ

CEA

2002-03-14 6/11

1...3 4 567 8 9...11

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