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TBL080N06HU

更新时间： 2024-04-09 19:00:20

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银河微电 - BL Galaxy Electrical		/
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95A, 60V, 150W, N Channel, Power MOSFETs

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TBL080N06HU 数据手册

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

TBL080N06HU

10000

1000

100

f = 1 MHz

V_DS= 30V；I_D= 30A

Ciss

Coss

Crss

0.1

100

V_DS(V)

Qg(nC)

Fig 7 Capacitance Characteristics

Fig 8 Gate-Charge Characteristics

1.15

1.2

1.1

1.05

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

I_D= 250uA

0.95

0.9

-75 -50 -25

25 50 75 100 125 150 175

-75 -50 -25

25 _T5_(℃0 ₎75 100 125 150 175

T_J(℃)

Fig 9 Normalized Breakdown Voltage

vs. Junction Temperature

Fig 10 Normalized V_GS(th)vs. Junction Temperature

MTM1114A: May 2023 [2.0]

www.gmesemi.com

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