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TBL080N06HU

更新时间： 2024-04-09 19:00:20

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银河微电 - BL Galaxy Electrical		/
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5页	563K
描述
95A, 60V, 150W, N Channel, Power MOSFETs

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TBL080N06HU 数据手册

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

TBL080N06HU

Ratings and Characteristics Curves (@ T_A= 25C unless otherwise specified)

200

150

100

V_GS= 8V

V_GS= 9V

V_GS= 10V

V_GS= 7V

V_GS= 6.5V

V_GS= 6V

V_GS= 10V

V_GS= 5.5V

V_GS= 5V

V_GS= 4.5V

100

150

200

V_DS(V)

I_D(A)

Fig 1 Typical Output Characteristics

Fig 2 On-Resistance vs. Drain Current

and Gate Voltage

200

150

100

I_D= 30A

175℃

25℃

-55℃

0.3

0.6

0.9

1.2

1.5

V_GS(V)

V_SD(V)

Fig 3 On-Resistance vs. Gate-Source Voltage

Fig 4 Body-Diode Characteristics

2.2

100

V_DS= 20V

1.8

1.6

V_GS= 10V; I_D= 30A

1.4

1.2

175℃

25℃

-55℃

0.8

0.6

-75 -50 -25

25 50 75 100 125 150 175

V_GS(V)

T_J(℃)

Fig 5 Normalized On-Resistance vs. Junction

Temperature

Fig 6 Transfer Characteristics

MTM1114A: May 2023 [2.0]

www.gmesemi.com

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