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T930N32TOFVTXPSA1

更新时间： 2024-09-19 09:30:07

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英飞凌 - INFINEON		/
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Silicon Controlled Rectifier, 2110A I(T)RMS, 3200V V(DRM), 3200V V(RRM), 1 Element,

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T930N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

3200 V

3400 V

3600 V

3200 V

3400 V

3600 V

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DRM,V_RRM

^Pere^ion^din^scd^ha^et^Ve^on^{rwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

Elektrische Eigenschaften

Vorwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak forward off-state voltage

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DSM

3300 V

3500 V

3700 V

Rückwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

2200 A

Durchlassstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

930 A

T_C= 85 °C

1340 A

2110 A

Dauergrenzstrom

T_C= 55 °C, θ = 180°sin, t_P= 10 ms I_TAVM

average on-state current

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

I_TRMS

19500 A

17500 A

T_vj= 25 °C °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

Stossstrom-Grenzwert

surge current

I_TSM

1900 10³ A²s

1530 10³ A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 60747-6

80 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

f = 50 Hz, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

critical rate of rise of on-state current

1000 V/µs

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

5.Kennbuchstabe / 5^thletter F

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlassspannung

on-state voltage

max.

2,70 V

1,48 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 3600 A

T_vj= T_{vj max}, i_T= 1000 A

v_T

1,00 V

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

Durchlasskennlinie

on-state characteristic

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

0,43 mΩ

200 A ≤ i_T≤ 4700 A

1,166E+00

3,485E-04

-7,225E-02

1,453E-02

v_T= A + B i_T+ C ln(i_T+ 1) + D

i_T

Zündstrom

T_vj= 25 °C, v_D= 12V

I_GT

max.

250 mA

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

V_GT

I_GD

max.

2,2 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

10 mA

5 mA

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

V_GD

I_H

max.

0,25 V

Haltestrom

holding current

T_vj= 25°C, v_D= 12V

max.

500 mA

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 12V, R_GK≥ 10 Ω

I_L

max. 2500 mA

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs,

t_g= 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

Zündverzug

gate controlled delay time

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

250 mA

4,5 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

DIN IEC 60747-6

T_vj= 25 °C, i_GM= 1 A,

di_G/dt = 1 A/µs

H.Sandmann

date of publication: 2009-03-04

prepared by:

revision:

1.0

approved by: M.Leifeld

IFBIP D AEC / 2009-03-04 / H.Sandmann

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T930N32TOFVTXPSA1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
T930N36TOFVTXPSA1	INFINEON	完全替代	Silicon Controlled Rectifier, 2110A I(T)RMS, 3600V V(DRM), 3600V V(RRM), 1 Element,

与T930N32TOFVTXPSA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
T930N34TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2110A I(T)RMS, 930000mA I(T), 3400V V(DRM), 3400V V(RRM), 1
T930N36TOF VT	INFINEON	获取价格	T930N 相位控制晶闸管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳，外壳直径 75mm，高度
T930N36TOFVT	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier,
T930N36TOFVTHOSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
T930N36TOFVTXPSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2110A I(T)RMS, 3600V V(DRM), 3600V V(RRM), 1 Element,
T930S	INFINEON	获取价格	Netz-Thyristor Phase Control Thyristor
T930S16TFB	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 930000mA I(T), 1600V V(DRM)
T930S16TKC	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2000A I(T)RMS, 930000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1
T930S16TOB	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2130A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element
T930S16TOC	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2130A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element

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