Datasheet > T930N36TOFVTXPSA1

T930N36TOFVTXPSA1

更新时间： 2024-11-20 15:53:43

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
10页	295K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 2110A I(T)RMS, 3600V V(DRM), 3600V V(RRM), 1 Element,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

T930N36TOFVTXPSA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	DISK BUTTON, O-XXDB-X4	Reach Compliance Code：	compliant
Factory Lead Time：	12 weeks	风险等级：	5.66
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	250 mA	JESD-30 代码：	O-XXDB-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大均方根通态电流：	2110 A	参考标准：	IEC-60747-6
断态重复峰值电压：	3600 V	重复峰值反向电压：	3600 V
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

T930N36TOFVTXPSA1 数据手册

浏览型号T930N36TOFVTXPSA1的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号T930N36TOFVTXPSA1的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号T930N36TOFVTXPSA1的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号T930N36TOFVTXPSA1的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号T930N36TOFVTXPSA1的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号T930N36TOFVTXPSA1的Datasheet PDF文件第7页

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T930N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

3200 V

3400 V

3600 V

3200 V

3400 V

3600 V

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DRM,V_RRM

^Pere^ion^din^scd^ha^et^Ve^on^{rwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

Elektrische Eigenschaften

Vorwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak forward off-state voltage

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DSM

3300 V

3500 V

3700 V

Rückwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

2200 A

Durchlassstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

930 A

T_C= 85 °C

1340 A

2110 A

Dauergrenzstrom

T_C= 55 °C, θ = 180°sin, t_P= 10 ms I_TAVM

average on-state current

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

I_TRMS

19500 A

17500 A

T_vj= 25 °C °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

Stossstrom-Grenzwert

surge current

I_TSM

1900 10³ A²s

1530 10³ A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 60747-6

80 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

f = 50 Hz, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

critical rate of rise of on-state current

1000 V/µs

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

5.Kennbuchstabe / 5^thletter F

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlassspannung

on-state voltage

max.

2,70 V

1,48 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 3600 A

T_vj= T_{vj max}, i_T= 1000 A

v_T

1,00 V

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

Durchlasskennlinie

on-state characteristic

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

0,43 mΩ

200 A ≤ i_T≤ 4700 A

1,166E+00

3,485E-04

-7,225E-02

1,453E-02

v_T= A + B i_T+ C ln(i_T+ 1) + D

i_T

Zündstrom

T_vj= 25 °C, v_D= 12V

I_GT

max.

250 mA

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

V_GT

I_GD

max.

2,2 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

10 mA

5 mA

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

V_GD

I_H

max.

0,25 V

Haltestrom

holding current

T_vj= 25°C, v_D= 12V

max.

500 mA

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 12V, R_GK≥ 10 Ω

I_L

max. 2500 mA

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs,

t_g= 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

Zündverzug

gate controlled delay time

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

250 mA

4,5 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

DIN IEC 60747-6

T_vj= 25 °C, i_GM= 1 A,

di_G/dt = 1 A/µs

H.Sandmann

date of publication: 2009-03-04

prepared by:

revision:

1.0

approved by: M.Leifeld

IFBIP D AEC / 2009-03-04 / H.Sandmann

A 05/09

Seite/page

1/10

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

T930N36TOFVTXPSA1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
T930N32TOFVTXPSA1	INFINEON	完全替代	Silicon Controlled Rectifier, 2110A I(T)RMS, 3200V V(DRM), 3200V V(RRM), 1 Element,

与T930N36TOFVTXPSA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
T930S	INFINEON	获取价格	Netz-Thyristor Phase Control Thyristor
T930S16TFB	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 930000mA I(T), 1600V V(DRM)
T930S16TKC	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2000A I(T)RMS, 930000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1
T930S16TOB	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2130A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element
T930S16TOC	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2130A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element
T930S18TFC	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 930000mA I(T), 1800V V(DRM)
T930S18TKB	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2000A I(T)RMS, 930000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1
T930S18TMC	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2000A I(T)RMS, 930000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1
T930S20TFB	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 930000mA I(T), 2000V V(DRM)
T930S20TFC	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 930000mA I(T), 2000V V(DRM)

与T930N36TOFVTXPSA1相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

24
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

16
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

48
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

T930N36TOFVTXPSA1

T930N36TOFVTXPSA1 技术参数

T930N36TOFVTXPSA1 数据手册

T930N36TOFVTXPSA1 替代型号

与T930N36TOFVTXPSA1相关器件

与T930N36TOFVTXPSA1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

T930N36TOFVTXPSA1

T930N36TOFVTXPSA1 技术参数

T930N36TOFVTXPSA1 数据手册

T930N36TOFVTXPSA1 替代型号

与T930N36TOFVTXPSA1相关器件

与T930N36TOFVTXPSA1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？