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T930S16TKC

更新时间： 2024-11-05 18:54:07

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
6页	212K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 2000A I(T)RMS, 930000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element,

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T930S16TKC 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.75	关态电压最小值的临界上升速率：	500 V/us
最大直流栅极触发电流：	250 mA	最大直流栅极触发电压：	2.2 V
最大维持电流：	300 mA	最大漏电流：	200 mA
通态非重复峰值电流：	20500 A	最大通态电压：	2.7 V
最大通态电流：	930000 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	断态重复峰值电压：	1600 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

T930S16TKC 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T930S

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

1600 V

1800 V

2000 V

1600 V

1800 V

2000 V

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DRM,V_RRM

^Pere^ion^din^scd^ha^et^Ve^on^{rwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

Elektrische Eigenschaften

Vorwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak forward off-state voltage

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DSM

1700 V

1900 V

2100 V

Rückwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

2000 A

Durchlassstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

930 A

T_C= 85

1360 A

2130 A

Dauergrenzstrom

T_C= 55 °C, θ = 180°sin, t_P= 10 ms I_TAVM

average on-state current

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

I_TRMS

20500 A

18000 A

T_vj= 25 °C °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

Stossstrom-Grenzwert

surge current

I_TSM

2100 10³ A²s

1620 10³ A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 60747-6

250 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

v_D≤ 67%V_DRM,f = 50 Hz,

critical rate of rise of on-state current

_GM= 1,2 A, di_G/dt = 1,2 A/µs

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

(dv_D/dt)_cr

5.Kennbuchstabe / 5^thletter

V/µs

500

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlassspannung

max.

2,7 V

1,35 V

0,33 mΩ

T_vj= T_{vj max}, i_T= 3500A

T_vj= T_{vj max}

v_T

on-state voltage

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

V_(TO)

r_T

T_vj= T_{vj max}

Durchlasskennlinie

250A ≤ i_T≤ 4500 A

T_vj= T_{vj max}

1,613E+00

on-state characteristic

1,744E-04

-7,502E-02

1,780E-02

v_T= A + B i_T+ C ln(i_T+ 1) + D

i_T

Zündstrom

T_vj= 25 °C, v_D= 12V

I_GT

max.

250 mA

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

V_GT

I_GD

max.

2,2 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

10 mA

5 mA

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

V_GD

max.

0,25 V

Haltestrom

T_vj= 25°C, v_D= 12V

I_H

I_L

max.

300 mA

holding current

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 12V, R_GK≥ 10 Ω

max. 1500 mA

_GM= 1,2 A, di_G/dt = 1,2 A/µs,

t_g= 20 µs

1) Werte nach DIN IED 747-6 (ohne vorausgehende Kommutierung) / values to DIN IEC 747-6 (without prior commutation)

H.Sandmann

date of publication: 2008-09-15

revision: 3.0

prepared by:

approved by: M.Leifeld

Seite/page

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IFBIP D AEC/ 2008-09-15, H.Sandmann

A 46/08

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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T930S16TOC	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2130A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element
T930S18TFC	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 930000mA I(T), 1800V V(DRM)
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