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T930S16TOC

更新时间： 2024-11-05 15:53:43

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英飞凌 - INFINEON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
6页	215K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 2130A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element

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T930S16TOC 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DISK BUTTON, O-XXDB-X3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.84	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	250 mA	JESD-30 代码：	O-XXDB-X3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	2130 A	断态重复峰值电压：	1600 V
重复峰值反向电压：	1600 V	表面贴装：	YES
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UNSPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

T930S16TOC 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T930S

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

1600 V

1800 V

2000 V

1600 V

1800 V

2000 V

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DRM,V_RRM

^Pere^ion^din^scd^ha^et^Ve^on^{rwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

Elektrische Eigenschaften

Vorwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak forward off-state voltage

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DSM

1700 V

1900 V

2100 V

Rückwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

2000 A

Durchlassstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

930 A

T_C= 85

1360 A

2130 A

Dauergrenzstrom

T_C= 55 °C, θ = 180°sin, t_P= 10 ms I_TAVM

average on-state current

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

I_TRMS

20500 A

18000 A

T_vj= 25 °C °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

Stossstrom-Grenzwert

surge current

I_TSM

2100 10³ A²s

1620 10³ A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 60747-6

250 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

v_D≤ 67%V_DRM,f = 50 Hz,

critical rate of rise of on-state current

_GM= 1,2 A, di_G/dt = 1,2 A/µs

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

(dv_D/dt)_cr

5.Kennbuchstabe / 5^thletter

V/µs

500

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlassspannung

max.

2,7 V

1,35 V

0,33 mΩ

T_vj= T_{vj max}, i_T= 3500A

T_vj= T_{vj max}

v_T

on-state voltage

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

V_(TO)

r_T

T_vj= T_{vj max}

Durchlasskennlinie

250A ≤ i_T≤ 4500 A

T_vj= T_{vj max}

1,613E+00

on-state characteristic

1,744E-04

-7,502E-02

1,780E-02

v_T= A + B i_T+ C ln(i_T+ 1) + D

i_T

Zündstrom

T_vj= 25 °C, v_D= 12V

I_GT

max.

250 mA

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

V_GT

I_GD

max.

2,2 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

10 mA

5 mA

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

V_GD

max.

0,25 V

Haltestrom

T_vj= 25°C, v_D= 12V

I_H

I_L

max.

300 mA

holding current

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 12V, R_GK≥ 10 Ω

max. 1500 mA

_GM= 1,2 A, di_G/dt = 1,2 A/µs,

t_g= 20 µs

1) Werte nach DIN IED 747-6 (ohne vorausgehende Kommutierung) / values to DIN IEC 747-6 (without prior commutation)

H.Sandmann

date of publication: 2008-09-15

revision: 3.0

prepared by:

approved by: M.Leifeld

Seite/page

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IFBIP D AEC/ 2008-09-15, H.Sandmann

A 46/08

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T930S18TKB	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2000A I(T)RMS, 930000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1
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T930S20TFB	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 930000mA I(T), 2000V V(DRM)
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T-931	RHOMBUS-IND	获取价格	AUDIO Transformer
T9310-0.02M	CTS	获取价格	Oscillator,
T-9310-0.02MHZ-TL	CTS	获取价格	CMOS/LSTTL Output Clock Oscillator, 0.02MHz Nom, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, CERAMIC,

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