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T930N36TOF VT

更新时间： 2024-11-21 14:56:19

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英飞凌 - INFINEON		/
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描述
T930N 相位控制晶闸管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳，外壳直径 75mm，高度 26mm。

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T930N36TOF VT 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T930N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

3200 V

3400 V

3600 V

3200 V

3400 V

3600 V

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DRM,V_RRM

^Pere^ion^din^scd^ha^et^Ve^on^{rwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

Elektrische Eigenschaften

Vorwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak forward off-state voltage

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DSM

3300 V

3500 V

3700 V

Rückwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

2200 A

Durchlassstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

930 A

T_C= 85 °C

1340 A

2110 A

Dauergrenzstrom

T_C= 55 °C, θ = 180°sin, t_P= 10 ms I_TAVM

average on-state current

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

I_TRMS

19500 A

17500 A

T_vj= 25 °C °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

Stossstrom-Grenzwert

surge current

I_TSM

1900 10³ A²s

1530 10³ A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 60747-6

80 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

f = 50 Hz, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

critical rate of rise of on-state current

1000 V/µs

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

5.Kennbuchstabe / 5^thletter F

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlassspannung

on-state voltage

max.

2,70 V

1,48 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 3600 A

T_vj= T_{vj max}, i_T= 1000 A

v_T

1,00 V

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

Durchlasskennlinie

on-state characteristic

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

0,43 mΩ

200 A ≤ i_T≤ 4700 A

1,166E+00

3,485E-04

-7,225E-02

1,453E-02

v_T= A + B i_T+ C ln(i_T+ 1) + D

i_T

Zündstrom

T_vj= 25 °C, v_D= 12V

I_GT

max.

250 mA

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

V_GT

I_GD

max.

2,2 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

10 mA

5 mA

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

V_GD

I_H

max.

0,25 V

Haltestrom

holding current

T_vj= 25°C, v_D= 12V

max.

500 mA

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 12V, R_GK≥ 10 Ω

I_L

max. 2500 mA

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs,

t_g= 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

Zündverzug

gate controlled delay time

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

250 mA

4,5 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

DIN IEC 60747-6

T_vj= 25 °C, i_GM= 1 A,

di_G/dt = 1 A/µs

H.Sandmann

date of publication: 2009-03-04

prepared by:

revision:

1.0

approved by: M.Leifeld

IFBIP D AEC / 2009-03-04 / H.Sandmann

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T930N36TOFVT	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier,
T930N36TOFVTHOSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
T930N36TOFVTXPSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2110A I(T)RMS, 3600V V(DRM), 3600V V(RRM), 1 Element,
T930S	INFINEON	获取价格	Netz-Thyristor Phase Control Thyristor
T930S16TFB	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 930000mA I(T), 1600V V(DRM)
T930S16TKC	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2000A I(T)RMS, 930000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1
T930S16TOB	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2130A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element
T930S16TOC	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2130A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element
T930S18TFC	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 930000mA I(T), 1800V V(DRM)
T930S18TKB	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2000A I(T)RMS, 930000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1

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