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STY100NS20FD

更新时间： 2024-01-21 15:46:52
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
8页 262K
描述
N-CHANNEL 200V - 0.022ohm - 100A Max247 MESH OVERLAY⑩ Power MOSFET

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STY100NS20FD 数据手册

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STY100NS20FD  
N-CHANNEL 200V - 0.022Ω - 100A Max247  
MESH OVERLAY™ Power MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STY100NS20FD  
200V  
< 0.024Ω  
100 A  
TYPICAL R (on) = 0.022Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
GATE CHARGE MINIMIZED  
± 20V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING  
LOW INTRINSIC CAPACITANCE  
3
2
1
FAST BODY-DRAIN DIODE:LOW t , Q  
rr  
rr  
Max247  
DESCRIPTION  
Using the latest high voltage MESH OVERLAY™  
process, STMicroelectronics has designed an ad-  
vanced family of power MOSFETs with outstanding  
performances. The new patented STrip layout cou-  
pled with the Company’s proprietary edge termina-  
tion structure, gives the lowest RDS(ON) per area,  
exceptional avalanche and dv/dt capabilities and  
unrivalled gate charge and switching characteris-  
tics.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITCH MODE POWER SUPPLY (SMPS)  
DC-AC CONVERTER FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTABLE  
POWER SUPPLY AND MOTOR DRIVE  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
200  
Unit  
V
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
200  
V
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
±20  
V
I
D
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
100  
A
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
63  
A
D
C
I
( )  
Drain Current (pulsed)  
400  
A
DM  
P
TOT  
Total Dissipation at T = 25°C  
450  
W
C
Derating Factor  
3.6  
W/°C  
V/ns  
°C  
°C  
dv/dt (1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
25  
T
stg  
–65 to 150  
150  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•)Pulse width limited by safe operating area  
(1)I ≤100A, di/dt ≤200A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
j JMAX  
SD  
DD  
(BR)DSS  
January 2002  
1/8  
12345678

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STY100NS20FD 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STD18N55M5 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-channel 550 V, 0.18 Ω, 13 A, MDmesh™ V P
STP55NF06 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220
STP80NF10 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 100V - 0.012ohm - 80A D2PAK LOW GAT

与STY100NS20FD相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STY100NS20FD_06 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 200V - 0.022Ω - 100A - Max247 MESH
STY112N65M5 STMICROELECTRONICS

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 		N沟道650 V、0.019 Ohm典型值、96 A MDmesh M5功率MOSFET，
STY139N65M5 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 650 V, 0.014 Ω typ., 130 A, MDmesh
STY140NS10 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 100V - 0.009 ohm - 140A MAX247⑩ MES
STY145N65M5 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 650 V, 0.012 Ω typ., 138 A, MDmesh
STY15NA100 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL 1000V - 0.65 ohm - 15A - Max247 MOSFET
STY16NA90 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL 900V - 0.5 ohm - 16A - Max247 EXTREMELY LOW GATE CHARGE POWER MOSFET
STY2004 ONSEMI

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),4A I(T),TO-220
STY25NA60 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL 600V - 0.225ohm - 25 A - Max247 EXSTREMELY LOW GATE CHARGE POWER MOSFET
STY30NA50 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR

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