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STY60NM50

更新时间： 2024-02-22 11:06:53
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 265K
描述
N-CHANNEL 500V - 0.045ohm - 60A Max247 Zener-Protected MDmesh⑩Power MOSFET

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STY60NM50 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：12 weeks风险等级：2.25
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：1400 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：60 A最大漏极电流 (ID)：60 A
最大漏源导通电阻：0.05 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：450 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：240 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STY60NM50 数据手册

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STY60NM50  
N-CHANNEL 500V - 0.045Ω - 60A Max247  
Zener-Protected MDmesh™Power MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STY60NM50  
500V  
< 0.05Ω  
60 A  
TYPICAL R (on) = 0.045Ω  
DS  
HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES  
IMPROVED ESD CAPABILITY  
LOW INPUT CAPACITANCE AND GATE  
CHARGE  
LOW GATE INPUT RESISTANCE  
TIGHT PROCESS CONTROL  
3
2
1
Max247  
INDUSTRY’S LOWEST ON-RESISTANCE  
DESCRIPTION  
The MDmesh™ is a new revolutionary MOSFET  
technology that associates the Multiple Drain pro-  
cess with the Company’s PowerMESH™ horizontal  
layout. The resulting product has an outstanding low  
on-resistance, impressively high dv/dt and excellent  
avalanche characteristics. The adoption of the  
Company’s proprietary strip technique yields overall  
dynamic performance that is significantly better than  
that of similar competition’s products.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
The MDmesh™ family is very suitable for increasing  
power density of high voltage converters allowing  
system miniaturization and higher efficiencies.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
500  
Unit  
V
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
500  
V
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
±30  
V
I
D
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
60  
A
C
I
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
37.8  
240  
A
D
C
I
( )  
Drain Current (pulsed)  
A
DM  
P
TOT  
Total Dissipation at T = 25°C  
560  
W
C
V
Gate source ESD(HBM-C=100pF, R=15KΩ)  
Derating Factor  
6
KV  
W/°C  
V/ns  
°C  
°C  
ESD(G-S)  
4.5  
dv/dt (1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
15  
T
stg  
–65 to 150  
150  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•)Pulse width limited by safe operating area  
(1)I ≤60A, di/dt ≤400A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
j JMAX  
SD  
DD  
(BR)DSS  
August 2002  
1/8  
12345678

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STY60NM50 替代型号

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