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STY25NA60

更新时间： 2024-01-26 00:28:24
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲栅局域网
页数 文件大小 规格书
8页 85K
描述
N - CHANNEL 600V - 0.225ohm - 25 A - Max247 EXSTREMELY LOW GATE CHARGE POWER MOSFET

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STY25NA60 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.23Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：3000 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：25 A最大漏极电流 (ID)：25 A
最大漏源导通电阻：0.24 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：100 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STY25NA60 数据手册

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STY25NA60  
N - CHANNEL 600V - 0.225Ω - 25 A - Max247  
EXSTREMELY LOW GATE CHARGE POWER MOSFET  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STY25NA60  
600 V  
< 0.24 Ω  
25 A  
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.225 Ω  
EFFICIENT AND RELIABLE MOUNTING  
THROUGH CLIP  
■
■
■
■
■
± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING  
100% AVALANCHE TESTED  
LOW INTRINSIC CAPACITANCE  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
2
1
REDUCED VOLTAGE SPREAD  
DESCRIPTION  
The Max247  
Max247  
package is a new high volume  
power package exibiting the same footprint as the  
industry standard TO-247, but designed to acco-  
modate much larger silicon chips, normally sup-  
plied in bigger packages such as TO-264.The in-  
creased die capacity makes the device idealto re-  
duce component count in multiple paralleled de-  
signs and save board space with respect to larger  
packages.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITCH MODE POWER SUPPLY (SMPS)  
DC-AC CONVERTER FOR WELDING  
EQUIPMENTAND UNINTERRUPTABLE  
POWER SUPPLY AND MOTOR DRIVE  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Parameter  
Value  
600  
Unit  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 k  
Gate-source Voltage  
V
V
600  
)
Ω
± 30  
25  
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
A
ID  
16.5  
100  
A
I
DM(• )  
A
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
300  
W
Derating Factor  
2.4  
W/oC  
oC  
oC  
Tstg  
Tj  
Storage Temperature  
-55 to 150  
150  
Max. Operating Junction Temperature  
•
( ) Pulse width limited by safe operating area  
1/8  
March 1999  
12345678

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与STY25NA60相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STY30NA50 STMICROELECTRONICS

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STY30NK90Z STMICROELECTRONICS

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