是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.92 | 标称电路换相断开时间: | 40 µs |
关态电压最小值的临界上升速率: | 200 V/us | 最大直流栅极触发电流: | 50 mA |
最大维持电流: | 50 mA | JESD-609代码: | e0 |
最大漏电流: | 2 mA | 通态非重复峰值电流: | 60 A |
最大通态电压: | 2 V | 最大通态电流: | 4000 A |
最高工作温度: | 125 °C | 断态重复峰值电压: | 400 V |
子类别: | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 触发设备类型: | SCR |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STY50N105DK5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道1050 V、0.110 Ohm典型值、46 A MDmesh DK5功率MOSFE |
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STY60NA20 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 200V - 0.030ohm - 60 A - Max247 FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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STY60NK30Z | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 300V - 0.033ohm - 60A Max247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET |
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STY60NM50 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 500V - 0.045ohm - 60A Max247 Zener- |
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STY60NM60 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 600V - 0.050ohm - 60A Max247 Zener- |
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STY80NM60N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V - 0.035 ヘ - 80 A - Max247 sec |
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STYN1008 | SIRECTIFIER |
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晶闸管(可控硅)Thyristor (SCRs),分立式单向可控硅Discrete Thy |
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STYN1008S | SIRECTIFIER |
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晶闸管(可控硅)Thyristor (SCRs),分立式单向可控硅Discrete Thy |
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STYN1010 | SIRECTIFIER |
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晶闸管(可控硅)Thyristor (SCRs),分立式单向可控硅Discrete Thy |
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STYN1010S | SIRECTIFIER |
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Discrete Thyristors(SCRs) |
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