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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
8页 | 95K | |
描述 | ||
N - CHANNEL 500V - 0.11ohm - 34 A - Max247 PowerMESH MOSFET |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | MAX247, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.81 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 1000 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 34 A |
最大漏极电流 (ID): | 34 A | 最大漏源导通电阻: | 0.14 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 450 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 136 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STY34NB50F | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 500V - 0.11ohm - 34 A - Max247 PowerMESH MOSFET | |
STY4004 | ONSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),4A I(T),TO-220 | |
STY50N105DK5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道1050 V、0.110 Ohm典型值、46 A MDmesh DK5功率MOSFE | |
STY60NA20 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 200V - 0.030ohm - 60 A - Max247 FAST POWER MOS TRANSISTOR | |
STY60NK30Z | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 300V - 0.033ohm - 60A Max247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET | |
STY60NM50 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 500V - 0.045ohm - 60A Max247 Zener- | |
STY60NM60 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 600V - 0.050ohm - 60A Max247 Zener- | |
STY80NM60N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V - 0.035 ヘ - 80 A - Max247 sec | |
STYN1008 | SIRECTIFIER |
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晶闸管(可控硅)Thyristor (SCRs),分立式单向可控硅Discrete Thy | |
STYN1008S | SIRECTIFIER |
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晶闸管(可控硅)Thyristor (SCRs),分立式单向可控硅Discrete Thy |