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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.24 | 雪崩能效等级（Eas）： | 3000 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 60 A | 最大漏极电流 (ID)： | 60 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.032 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 240 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STY60NK30Z | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 300V - 0.033ohm - 60A Max247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET |
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| STY60NM50 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 500V - 0.045ohm - 60A Max247 Zener- |
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| STY60NM60 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V - 0.050ohm - 60A Max247 Zener- |
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| STY80NM60N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V - 0.035 ヘ - 80 A - Max247 sec |
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| STYN1008 | SIRECTIFIER |
获取价格 |
晶闸管（可控硅）Thyristor (SCRs)，分立式单向可控硅Discrete Thy |
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| STYN1008S | SIRECTIFIER |
获取价格 |
晶闸管（可控硅）Thyristor (SCRs)，分立式单向可控硅Discrete Thy |
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| STYN1010 | SIRECTIFIER |
获取价格 |
晶闸管（可控硅）Thyristor (SCRs)，分立式单向可控硅Discrete Thy |
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| STYN1010S | SIRECTIFIER |
获取价格 |
Discrete Thyristors(SCRs) |
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| STYN10110 | SIRECTIFIER |
获取价格 |
Thyristor Discretes (SCRs) |
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| STYN1012 | SIRECTIFIER |
获取价格 |
晶闸管（可控硅）Thyristor (SCRs)，分立式单向可控硅Discrete Thy |
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