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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 13页 | 971K |  |
| 描述 | ||
| N-channel 650 V, 0.014 Ω typ., 130 A, MDmesh⢠V Power MOSFET in Max247 package | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 1.67 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 2400 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 650 V | 最大漏极电流 (ID)： | 130 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.017 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 520 A |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STY140NS10 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 100V - 0.009 ohm - 140A MAX247⑩ MES |
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| STY145N65M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650 V, 0.012 Ω typ., 138 A, MDmesh |
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| STY15NA100 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 1000V - 0.65 ohm - 15A - Max247 MOSFET |
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| STY16NA90 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 900V - 0.5 ohm - 16A - Max247 EXTREMELY LOW GATE CHARGE POWER MOSFET |
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| STY2004 | ONSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),4A I(T),TO-220 |
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| STY25NA60 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 600V - 0.225ohm - 25 A - Max247 EXSTREMELY LOW GATE CHARGE POWER MOSFET |
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| STY30NA50 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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| STY30NK90Z | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 900V - 0.21ohm - 26A Max247 Zener-Protected SuperMESH MOSFET |
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| STY34NB50 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 500V - 0.11ohm - 34 A - Max247 PowerMESH MOSFET |
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| STY34NB50F | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 500V - 0.11ohm - 34 A - Max247 PowerMESH MOSFET |
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