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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STY140NS10
STY140NS10 PDF预览

STY140NS10

更新时间： 2024-01-27 21:05:33
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 256K
描述
N-CHANNEL 100V - 0.009 ohm - 140A MAX247⑩ MESH OVERLAY⑩ POWER MOSFET

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STY140NS10 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.77Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：2900 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：140 A
最大漏极电流 (ID)：140 A最大漏源导通电阻：0.011 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：450 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：560 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STY140NS10 数据手册

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STY140NS10  
N-CHANNEL 100V - 0.009 Ω - 140A MAX247™  
MESH OVERLAY™ POWER MOSFET  
V
R
I
D
TYPE  
DSS  
DS(on)  
STY140NS10  
100V  
<0.011Ω  
140A  
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.009Ω  
DS  
STANDARD THRESHOLD DRIVE  
100% AVALANCHE TESTED  
DESCRIPTION  
Using the latest high voltage MESH OVERLAY™  
process, STMicroelectronics has designed an advanced  
3
2
family  
of  
power MOSFETs  
with  
outstanding  
1
performances. The new patent pending strip layout  
coupled with the Company’s proprietary edge termination  
structure, gives the lowest RDS(on) per area,  
exceptional avalanche and dv/dt capabilities and  
unrivalled gate charge and switching characteristics.  
Max247™  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
HIGH CURRENT, HIGH SWITCHING SPEED  
■
SWITCH MODE POWER SUPPLY (SMPS)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
100  
Unit  
V
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
100  
V
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
± 20  
140  
V
GS  
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
A
D
C
I
D
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
99  
A
C
I
(•)  
DM  
Drain Current (pulsed)  
560  
A
P
Total Dissipation at T = 25°C  
450  
W
tot  
C
Derating Factor  
3
W/°C  
mJ  
V/ns  
°C  
°C  
E
(1)  
Single Pulse Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
2900  
5
AS  
(2)  
dv/dt  
T
-55 to 175  
-55 to 175  
stg  
T
Operating Junction Temperature  
j
o
(•) Pulse width limited by safe operating area.  
(1) Starting T = 25 C, I = 70A, V = 50V  
j
D
DD  
(2) I ≤140A, di/dt ≤200A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
j JMAX.  
SD  
DD  
(BR)DSS  
August 2001  
1/8  
.
12345678

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STY140NS10 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STW11NK100Z STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-CHANNEL 1000V - 1.1W - 8.3A TO-247 Zener-Pr
STW20NK50Z STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-CHANNEL 500V -0.23 OHM - 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247
STP80NF10 STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-CHANNEL 100V - 0.012ohm - 80A D2PAK LOW GAT

与STY140NS10相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STY145N65M5 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 650 V, 0.012 Ω typ., 138 A, MDmesh
STY15NA100 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL 1000V - 0.65 ohm - 15A - Max247 MOSFET
STY16NA90 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL 900V - 0.5 ohm - 16A - Max247 EXTREMELY LOW GATE CHARGE POWER MOSFET
STY2004 ONSEMI

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),4A I(T),TO-220
STY25NA60 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL 600V - 0.225ohm - 25 A - Max247 EXSTREMELY LOW GATE CHARGE POWER MOSFET
STY30NA50 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STY30NK90Z STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 900V - 0.21ohm - 26A Max247 Zener-Protected SuperMESH MOSFET
STY34NB50 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL 500V - 0.11ohm - 34 A - Max247 PowerMESH MOSFET
STY34NB50F STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL 500V - 0.11ohm - 34 A - Max247 PowerMESH MOSFET
STY4004 ONSEMI

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),4A I(T),TO-220

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