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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 13页 | 788K |  |
| 描述 | ||
| N-channel 650 V, 0.012 Ω typ., 138 A, MDmesh⢠V Power MOSFET in Max247 package | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 12 weeks |
| 风险等级： | 2.26 | 雪崩能效等级（Eas）： | 2420 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 650 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 138 A | 最大漏极电流 (ID)： | 138 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.015 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 625 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 552 A |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STY15NA100 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 1000V - 0.65 ohm - 15A - Max247 MOSFET |
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| STY16NA90 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 900V - 0.5 ohm - 16A - Max247 EXTREMELY LOW GATE CHARGE POWER MOSFET |
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| STY2004 | ONSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),4A I(T),TO-220 |
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| STY25NA60 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 600V - 0.225ohm - 25 A - Max247 EXSTREMELY LOW GATE CHARGE POWER MOSFET |
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| STY30NA50 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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| STY30NK90Z | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 900V - 0.21ohm - 26A Max247 Zener-Protected SuperMESH MOSFET |
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| STY34NB50 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 500V - 0.11ohm - 34 A - Max247 PowerMESH MOSFET |
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| STY34NB50F | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 500V - 0.11ohm - 34 A - Max247 PowerMESH MOSFET |
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| STY4004 | ONSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),4A I(T),TO-220 |
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| STY50N105DK5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道1050 V、0.110 Ohm典型值、46 A MDmesh DK5功率MOSFE |
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