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STY16NA90

更新时间： 2024-02-24 16:08:58
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体栅极晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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5页 49K
描述
N - CHANNEL 900V - 0.5 ohm - 16A - Max247 EXTREMELY LOW GATE CHARGE POWER MOSFET

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STY16NA90 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：MAX247, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.9
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：3000 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：16 A最大漏极电流 (ID)：16 A
最大漏源导通电阻：0.54 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：64 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STY16NA90 数据手册

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STY16NA90  
N - CHANNEL 900V - 0.5 Ω - 16A - Max247  
EXTREMELY LOW GATE CHARGE POWER MOSFET  
PRELIMINARY DATA  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STY16NA90  
900 V  
< 0.54 Ω  
16 A  
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.5 Ω  
EFFICIENT AND RELIABLE MOUNTING  
THROUGH CLIP  
■
■
■
■
■
■
± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING  
REPETITIVE AVALANCHE TESTED  
LOW INTRINSIC CAPACITANCE  
100% AVALANCHE TESTED  
GATECHARGE MINIMIZED  
REDUCED THRESHOLD VOLTAGE SPREAD  
Max247TM  
DESCRIPTION  
The Max247TM package is a new high volume  
power package exibiting the same footprint as the  
industry standard TO-247, but designed to  
accomodate much larger silicon chips, normally  
supplied in bigger packages such as TO-264. The  
increased die capacity makes the device ideal to  
reduce component count in multiple paralleled  
designs and save board space with respect to  
larger packages.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES (UPS)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Parameter  
Value  
900  
Unit  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
V
V
900  
± 30  
16  
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
A
ID  
10  
A
I
DM(• )  
64  
A
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
300  
W
Derating Factor  
2.4  
W/oC  
oC  
oC  
Tstg  
Tj  
Storage Temperature  
-55 to 150  
150  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/5  
June 1998  
12345

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