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STU16NC50

更新时间： 2024-11-23 08:58:43
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
8页 263K
描述
N-CHANNEL 500V - 0.22ohm - 16A Max220 PowerMesh?II MOSFET

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STU16NC50 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：MAX220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.92
雪崩能效等级（Eas）：1000 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：16 A
最大漏极电流 (ID)：16 A最大漏源导通电阻：0.27 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：160 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：64 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STU16NC50 数据手册

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STU16NC50  
N-CHANNEL 500V - 0.22Ω - 16A Max220  
PowerMesh™II MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STU16NC50  
500V  
< 0.27Ω  
16 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.22Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
2
1
Max220  
DESCRIPTION  
The PowerMESH™II is the evolution of the first  
generation of MESH OVERLAY™. The layout re-  
finements introduced greatly improve the Ron*area  
figure of merit while keeping the device at the lead-  
ing edge for what concerns swithing speed, gate  
charge and ruggedness.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLIES (UPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR TELECOM,  
INDUSTRIAL, AND LIGHTING EQUIPMENT  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
500  
Unit  
V
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
500  
V
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
±30  
V
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
16  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
10  
A
D
C
I
(●)  
Drain Current (pulsed)  
64  
A
DM  
P
TOT  
Total Dissipation at T = 25°C  
160  
W
C
Derating Factor  
1.28  
3
W/°C  
V/ns  
°C  
°C  
dv/dt(1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
T
stg  
–65 to 150  
150  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•)Pulse width limited by safe operating area  
(1)I ≤16A, di/dt ≤100A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
j JMAX.  
SD  
DD  
(BR)DSS  
October 2001  
1/8  
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