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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STU16NB50
STU16NB50 PDF预览

STU16NB50

更新时间： 2024-11-22 22:21:15
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
6页 52K
描述
N-CHANNEL 500V - 0.28ohm - 15.6A-Max220 PowerMESH MOSFET

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STU16NB50 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：MAX220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.92
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：850 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：16 A最大漏极电流 (ID)：15.6 A
最大漏源导通电阻：0.33 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：160 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：62 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STU16NB50 数据手册

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STU16NB50  
N-CHANNEL 500V - 0.28  
Ω
- 15.6A-Max220  
PowerMESH MOSFET  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STU16NB50  
500 V  
< 0.33 Ω  
15.6 A  
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.28 Ω  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES  
GATE CHARGE MINIMIZED  
± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING  
3
2
1
DESCRIPTION  
Using the latest high voltage MESH OVERLAY  
process, STMicroelectronics has designed an  
advanced family of power MOSFETs with  
outstanding performances. The new patent  
pending strip layout coupled with the Company’s  
proprietary edge termination structure, gives the  
lowest RDS(on) per area, exceptional avalanche  
and dv/dt capabilities and unrivalled gate charge  
and switching characteristics.  
Max220  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
SWITCH MODE POWER SUPPLIES(SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENTAND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE  
■
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Parameter  
Value  
500  
Unit  
V
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 k  
Gate-source Voltage  
500  
V
)
Ω
± 30  
15.6  
9.8  
V
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC  
A
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
A
I
DM(• )  
Drain Current (pulsed)  
62  
A
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
160  
W
Derating Factor  
1.28  
4.5  
W/oC  
V/ns  
oC  
oC  
dv/dt(1) Peak Diode Recovery voltage slope  
Tstg  
Tj  
Storage Temperature  
-65 to 150  
Max. Operating Junction Temperature  
150  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
( 1) ISD ≤16A, di/dt ≤ 200 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX  
1/6  
September 1999  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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