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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STU10NA50
STU10NA50 PDF预览

STU10NA50

更新时间： 2024-10-01 22:19:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
5页 75K
描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR

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STU10NA50 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：MAX220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.84
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：520 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：10.2 A最大漏极电流 (ID)：10.2 A
最大漏源导通电阻：0.6 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：145 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：40.8 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STU10NA50 数据手册

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STU10NA50  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
FAST POWER MOS TRANSISTOR  
PRELIMINARY DATA  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
< 0.6 Ω  
ID  
STU10NA50  
500 V  
10.2 A  
■
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.5 Ω  
± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING  
REPETITIVE AVALANCHE TESTED  
LOW INTRINSIC CAPACITANCE  
100% AVALANCHE TESTED  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
2
1
REDUCED THRESHOLD VOLTAGE SPREAD  
Max220TM  
DESCRIPTION  
The Max220TM package is a new high volume  
power package exibiting the same footprint as the  
industry standard TO-220, but designed to  
accomodate much larger silicon chips, normally  
supplied in bigger packages. The increased die  
capacity makes the device ideal to reduce  
component count in multiple paralleled TO-220  
designs and save board space with respect to  
larger packages.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES (UPS)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
Parameter  
Value  
500  
Unit  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
V
V
VDGR  
VGS  
500  
± 30  
V
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
10.2  
A
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
6.4  
A
IDM(•)  
Ptot  
Drain Current (pulsed)  
40.8  
A
o
Total Dissipation at Tc = 25 C  
145  
W
Derating Factor  
1.16  
W/oC  
oC  
oC  
Tstg  
Tj  
Storage Temperature  
-65 to 150  
150  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/5  
October 1997  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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