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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STU10NB80
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STU10NB80

更新时间： 2024-10-01 22:19:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲高压
页数 文件大小 规格书
5页 47K
描述
N - CHANNEL 800V - 0.65ohm - 10A - Max220 PowerMESHO MOSFET

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STU10NB80 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：MAX220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.92
Is Samacsys：N其他特性：HIGH VOLTAGE
雪崩能效等级（Eas）：660 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：800 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：10 A
最大漏极电流 (ID)：10 A最大漏源导通电阻：0.8 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：160 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STU10NB80 数据手册

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STU10NB80  
N - CHANNEL 800V - 0.65Ω - 10A - Max220  
PowerMESH MOSFET  
PRELIMINARY DATA  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STU10NB80  
800 V  
< 0.8 Ω  
10 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.65 Ω  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
2
DESCRIPTION  
1
Using the latest high voltage MESH OVERLAY  
process, STMicroelectronics has designed an  
advanced family of power MOSFETs with  
outstanding performances. The new patent  
pending strip layout coupled with the Company’s  
proprietary edge termination structure, gives the  
lowest RDS(on) per area, exceptional avalanche  
and dv/dt capabilities and unrivalled gate charge  
and switching characteristics.  
Max220  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE  
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
■
■
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Parameter  
Value  
800  
Unit  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
V
V
800  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
± 30  
10  
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
A
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
6.3  
A
I
DM(• )  
Drain Current (pulsed)  
Total Dissipation at Tc = 25 oC  
Derating Factor  
40  
A
Ptot  
160  
W
1.28  
4
W/oC  
V/ns  
oC  
oC  
dv/dt (1) Peak Diode Recovery voltage slope  
Tstg  
Storage Temperature  
-65 to 150  
Tj  
Max. Operating Junction Temperature  
150  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
(1) ISD ≤10 Α, ≤ 200 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX  
1/5  
April 1999  
12345

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