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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STU10NC70Z
STU10NC70Z PDF预览

STU10NC70Z

更新时间： 2024-10-01 22:19:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
10页 411K
描述
N-CHANNEL 700V - 0.58ohm - 9.4A Max220/I-Max220 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET

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STU10NC70Z 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：MAX220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.9
雪崩能效等级（Eas）：400 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：700 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：9.4 A
最大漏极电流 (ID)：9.4 A最大漏源导通电阻：0.75 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：160 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：37.6 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STU10NC70Z 数据手册

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STU10NC70Z  
STU10NC70ZI  
N-CHANNEL 700V - 0.58Ω - 9.4A Max220/I-Max220  
Zener-Protected PowerMESH™III MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STU10NC70Z  
STU10NC70ZI  
700 V  
700 V  
<0.75Ω  
<0.75Ω  
9.4 A  
9.4 A  
■
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.58Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
GATE-TO-SOURCE ZENER DIODES  
100% AVALANCHE TESTED  
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
2
1
I-Max220  
Max220  
DESCRIPTION  
The third generation of MESH OVERLAY™ Power  
MOSFETs for very high voltage exhibits unsur-  
passed on-resistance per unit area while integrating  
back-to-back Zener diodes between gate and  
source. Such arrangement gives extra ESD capabil-  
ity with higher ruggedness performance as request-  
ed by a large variety of single-switch applications.  
APPLICATIONS  
■
SINGLE-ENDED SMPS IN MONITORS,  
COMPUTER AND INDUSTRIAL APPLICATION  
WELDING EQUIPMENT  
■
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STU10NC70Z  
STU10NC70ZI  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
700  
700  
±25  
V
V
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
V
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
9.4  
5.9  
9.4(*)  
5.9(*)  
37.6(*)  
55  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
A
D
C
I
(1)  
Drain Current (pulsed)  
37.6  
160  
1.28  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
TOT  
C
Derating Factor  
0.44  
W/°C  
mA  
KV  
V/ns  
V
I
Gate-source Current  
±50  
4
GS  
V
Gate source ESD(HBM-C=100pF, R=15KΩ)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Insulation Winthstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
ESD(G-S)  
dv/dt(  
●)  
3
V
ISO  
--  
2000  
T
stg  
–65 to 150  
150  
°C  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•)Pulse width limited by safe operating area  
(1)I ≤9.4A, di/dt ≤100A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
j JMAX  
SD  
DD  
(BR)DSS  
(*)Limited only by maximum temperature allowed  
Sep 2000  
1/10  
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与STU10NC70Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STU10NC70ZI STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 700V - 0.58ohm - 9.4A Max220/I-Max2
STU10NM60N STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 600 V, 0.53 ohm, 10 A, DPAK, TO-220, TO-220FP, IPAK MDmesh II Power MOSFET
STU10NM65N STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 650 V - 0.43 ヘ - 9 A - TO-220 - TO-
STU11N65M2 STMICROELECTRONICS

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 		N沟道650 V、0.60 Ohm典型值、7 A MDmesh M2功率MOSFET，IP
STU11NB60 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 600V - 0.5ohm - 11A - Max220 PowerMESH MOSFET
STU11NC60 STMICROELECTRONICS

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STU11NM60ND STMICROELECTRONICS

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STU1224N SAMHOP

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STU1255PL SAMHOP

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 		P-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor
STU12N65M5 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 650 V, 0.39 Ohm, 8.5 A MDmesh V Power MOSFET DPAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, IPAK

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