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STU150N3LLH6

更新时间: 2024-02-05 17:42:31
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
16页 948K
描述
N-channel 30 V, 0.0024 ohm , 80 A, DPAK, IPAK, TO-220

STU150N3LLH6 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-251
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.81Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):525 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):80 A最大漏极电流 (ID):80 A
最大漏源导通电阻:0.0049 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-251JESD-30 代码:R-PSIP-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):110 W最大脉冲漏极电流 (IDM):320 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

STU150N3LLH6 数据手册

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STD150N3LLH6  
STP150N3LLH6, STU150N3LLH6  
N-channel 30 V, 0.0024 , 80 A, DPAK, IPAK, TO-220  
STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET  
Features  
Type  
VDSS  
RDS(on) max  
ID  
STD150N3LLH6  
STP150N3LLH6  
STu150N3LLH6  
30 V  
30 V  
30 V  
0.0028 Ω  
0.0033 Ω  
0.0033 Ω  
80 A  
80 A  
80 A  
3
3
2
1
1
IPAK  
DPAK  
R  
* Q industry benchmark  
g
DS(on)  
Extremely low on-resistance R  
High avalanche ruggedness  
Low gate drive power losses  
DS(on)  
3
2
1
TO-220  
Application  
Switching applications  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
Description  
$ ꢄ4!" OR ꢅꢆ  
This product utilizes the 6th generation of design  
rules of ST’s proprietary STripFET™ technology,  
with a new gate structure.The resulting Power  
MOSFET exhibits the lowest R  
packages.  
in all  
DS(on)  
'ꢄꢁꢆ  
3ꢄꢇꢆ  
!-ꢀꢁꢂꢃꢂVꢁ  
Table 1.  
Device summary  
Order codes  
Marking  
Package  
Packaging  
STD150N3LLH6  
STP150N3LLH6  
STU150N3LLH6  
150N3LLH6  
150N3LLH6  
150N3LLH6  
DPAK  
TO-220  
IPAK  
Tape and reel  
Tube  
Tube  
September 2009  
Doc ID 15227 Rev 3  
1/16  
www.st.com  
16  

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