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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.76 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 27 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 45 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP50N05LFI | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-220VAR |
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| STP50N06 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP50N06FI | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP50N06L | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP50N06LFI | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP50N60DM6 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package |
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| STP50N65DM6 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 650 V, 74 mOhm typ., 33 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package |
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| STP50NE08 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET |
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| STP50NE10 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 100V - 0.021ohm - 50A TO-220 STripFET POWER MOSFET |
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| STP50NE10L | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 100V - 0.020ohm - 50A TO-220 STripFET POWER MOSFET |
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