Datasheet > STP11N65M5

STP11N65M5

更新时间： 2023-09-23 06:48:50

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
25页	1281K
描述
N沟道650 V、0.43 Ohm典型值、9 A MDmesh M5功率MOSFET，TO-220封装

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

STP11N65M5 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	17 weeks
风险等级：	5.7	雪崩能效等级（Eas）：	130 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	650 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9 A	最大漏极电流 (ID)：	9 A
最大漏源导通电阻：	0.48 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	85 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	36 A	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STP11N65M5 数据手册

STB11N65M5, STD11N65M5, STF11N65M5,

STP11N65M5, STU11N65M5

N-channel 650 V, 0.43 Ω typ., 9 A MDmesh™ V Power MOSFET

in D²PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages

Datasheet — production data

Features

TAB

V_DSS

T_Jmax

R_DS(on)

max

Order codes

I_D

D²PAK

DPAK

STB11N65M5

STD11N65M5

STF11N65M5

STP11N65M5

STU11N65M5

TO-220FP

TAB

710 V

< 0.48 Ω

9 A

IPAK

TO-220

■ Worldwide best R_DS(on)* area

■ Higher V_DSSrating and high dv/dt capability

■ Excellent switching performance

■ 100% avalanche tested

Figure 1.

Internal schematic diagram

$ꢅꢆꢇ 4!"ꢈ

Applications

■ Switching applications

'ꢅꢁꢈ

Description

These devices are N-channel MDmesh™ V

Power MOSFETs based on an innovative

proprietary vertical process technology, which is

combined with STMicroelectronics’ well-known

PowerMESH™ horizontal layout structure. The

resulting product has extremely low on-

3ꢅꢉꢈ

!-ꢀꢁꢂꢃꢄVꢁ

resistance, which is unmatched among silicon-

based Power MOSFETs, making it especially

suitable for applications which require superior

power density and outstanding efficiency.

Table 1.

Device summary

Order codes

Marking

Package

D²PAK

Packaging

STB11N65M5

STD11N65M5

STF11N65M5

STP11N65M5

STU11N65M5

Tape and reel

Tube

DPAK

TO-220FP

TO-220

IPAK

11N65M5

December 2012

Doc ID 022864 Rev 2

1/25

This is information on a product in full production.

www.st.com

12 3 4 5 6 7...25

中文翻译

下载PDF

STP11N65M5 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STI21N65M5	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 650 V, 0.150 Î©, 17 A MDmeshâ¢ V P
STU5N95K3	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 950 V, 3 ohm typ, 4 A Zener-protected SuperMESH3
STU8N65M5	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 650 V, 0.56 Ω, 7 A MDmesh? V Power

与STP11N65M5相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STP11NB40	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL 400V - 0.48ohm - 10.7A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET
STP11NB40FP	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL 400V - 0.48ohm - 10.7A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET
STP11NC40	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 400V - 0.44ohm - 9.5A TO-220/TO-220
STP11NC40FP	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 400V - 0.44ohm - 9.5A TO-220/TO-220
STP11NK40Z	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 400V - 0.49ohm - 9A TO-220/TO-220FP
STP11NK40ZFP	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 400V - 0.49ohm - 9A TO-220/TO-220FP
STP11NK50	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 500V - 0.48ohm - 10A TO-220/TO-220F
STP11NK50Z	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 500V - 0.48ohm - 10A TO-220/TO-220F
STP11NK50ZFP	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 500V - 0.48ohm - 10A TO-220/TO-220F
STP11NM60	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 600V - 0.4ohm-11A TO-220/TO-220FP/D

与STP11N65M5相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

11
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

10
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

12
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

15

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

STP11N65M5

STP11N65M5 技术参数

STP11N65M5 数据手册

STP11N65M5 替代型号

与STP11N65M5相关器件

与STP11N65M5相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

STP11N65M5

STP11N65M5 技术参数

STP11N65M5 数据手册

STP11N65M5 替代型号

与STP11N65M5相关器件

与STP11N65M5相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？