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STL75N3LLZH5

更新时间： 2024-11-24 21:00:31
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 504K
描述
19A, 30V, 0.0078ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 6 X 5 MM, ROHS COMPLIANT, POWERFLAT-8

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STL75N3LLZH5 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：6 X 5 MM, ROHS COMPLIANT, POWERFLAT-8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.79
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：75 A
最大漏极电流 (ID)：19 A最大漏源导通电阻：0.0078 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-N5
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：60 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：76 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STL75N3LLZH5 数据手册

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STL75N3LLZH5  
N-channel 30 V, 0.0055 Ω, 19 A PowerFLAT™ (5x6)  
STripFET™ V Power MOSFET  
Preliminary data  
Features  
RDS(on)  
max  
<0.0061 Ω 19 A (1)  
Type  
VDSS  
30 V  
ID  
STL75N3LLZH5  
1. The value is rated according Rthj-pcb  
■ R  
* Q industry benchmark  
DS(on)  
g
■ Extremely low on-resistance R  
DS(on)  
PowerFLAT™ ( 5x6 )  
■ Very low switching gate charge  
■ High avalanche ruggedness  
■ Low gate drive power losses  
■ Built in G-S Zener diodes  
Application  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
■ Switching applications  
Description  
The STL75N3LLZH5 is an N-channel  
STripFET™V Power MOSFET which has been  
designed to achieve very low on-state resistance  
providing also one of the best-in-class figure of  
merit (FOM).  
Table 1.  
Order code  
STL75N3LLZH5  
Device summary  
Marking  
Package  
Packaging  
75N3LLZH5  
PowerFLAT™ (5x6)  
Tape and reel  
July 2010  
Doc ID 17661 Rev 2  
1/9  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to  
change without notice.  
www.st.com  
9
1234567...9

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STL75N3LLZH5 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STL60N3LLH5 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-channel 30 V, 0.0063 Ohm, 17 A PowerFLAT(TM) 5x6 STripFET(TM) V Power MOSFET
BSC0909NS INFINEON

功能相似

 n-Channel Power MOSFET
STL140N4LLF5 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-channel 40 V, 0.00275 Ω, 32 A, PowerFLAT? (

与STL75N3LLZH5相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STL75NH3LL STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 30 V, 0.004 ヘ, 20 A, PowerFLAT⑩ (6x
STL7DN6LF3 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		汽车级双路N沟道60 V、35 mOhm典型值、6.5 A STripFET F3功率MO
STL7LN65K5AG STMICROELECTRONICS

获取价格

 		Automotive-grade N-channel 650 V, 0.95 Ohm typ., 5 A, MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLA
STL7LN80K5 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道800 V、0.95 Ohm典型值、5 A MDmesh K5功率MOSFET，Po
STL7N10F7 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道100 V、0.027 Ohm典型值、7 A STripFET F7功率MOSFET
STL7N60M2 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道600 V、0.92 Ohm典型值、5 A MDmesh M2功率MOSFET，Po
STL7N6F7 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道60 V、0.019 Ohm典型值、7 A STripFET F7功率MOSFET，
STL7N6LF3 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		汽车级N沟道60 V、35 mOhm典型值、6.5 A STripFET F3功率MOSF
STL7N80K5 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道800 V、0.95 Ohm典型值、3.6 A MDmesh K5功率MOSFET，
STL7NM60N STMICROELECTRONICS

获取价格

 		Low input capacitance and gate charge, Low gate input resistance

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