STL80NF3LL

更新时间： 2024-11-26 22:31:27

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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N-CHANNEL 30V - 0.0045ohm - 80A PowerFLAT(6X5) STripFET II MOSFET

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STL80NF3LL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	ROHS COMPLIANT, POWERFLAT-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	80 A
最大漏极电流 (ID)：	20 A	最大漏源导通电阻：	0.007 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-XBCC-N8
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	80 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

STL80NF3LL 数据手册

STL80NF3LL

N-CHANNEL 30V - 0.0045Ω - 80A PowerFLAT™ ( 6X5 )

STripFET™ II MOSFET

PRODUCT PREVIEW

Table 1: General Features

Figure 1: Package

TYPE

DSS

DS(on)

STL80NF3LL

30 V

< 0.0055 Ω 20 A (2)

■ TYPICAL R (on) = 0.0045 Ω @ 10V

■ IMPROVED DIE-TO-FOOTPRINT RATIO

■ VERY LOW PROFILE PACKAGE (1mm MAX)

■ VERY LOW THERMAL RESISTANCE

■ CONDUCTION LOSSES REDUCED

■ SWITCHING LOSSES REDUCED

PowerFLAT™( 6x5 )

DESCRIPTION

The STL80NF3LL utilizes the second generation

of STMicroelectronics unique “Single Feature

Size™” strip-based process. The resulting tran-

sistor shows the best trade-off between on-resis-

tance and gate charge. Such features make it the

best choice in high efficiency DC-DC converters

for Telecom and Computer industries. The Chip-

scaled PowerFLAT™ package allows a significant

board space saving, still boosting the perfor-

mance.

Figure 2: Internal Schematic Diagram

APPLICATIONS

■ HIGH-EFFICIENCY DC-DC CONVERTERS

■ SYNCHRONOUS RECTIFICATION

TOP VIEW

Table 2: Order Codes

Part Number

Marking

Package

Packaging

STL80NF3LL

L80NF3LL

PowerFLAT™ (6x5)

TAPE & REEL

Rev. 3

June 2005

1/9

This is a preliminary information on a new product now in development. Details are subjet to change without notice

12 3 4 5 6 7...9

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