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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | TO-18 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.26 |
| 主体高度： | 15 mm | 主体长度或直径： | 7.2 mm |
| 连接类型： | FC CONNECTOR | 数据速率： | 1000 Mbps |
| 最长下降时间： | 1 ns | 光纤设备类型： | LASER DIODE EMITTER |
| 光纤类型： | 10/125, SMF | 安装特点： | PANEL MOUNT |
| 信道数量： | 1 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 最大工作波长： | 1590 nm |
| 最小工作波长： | 1510 nm | 标称工作波长： | 1550 nm |
| 封装形式： | TO-18 | 上升时间： | 1 ns |
| 光谱宽度： | 5 nm | 电源电流： | 120 mA |
| 标称供电电压： | 1.5 V | 表面贴装： | NO |
| 最小阈值电流： | 8 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STL81007X | INFINEON |
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1550 nm Laser in Receptacle Package, Low Power |
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| STL85N6F3 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 60 V, 0.0057 Ω, 19 A PowerFLAT? 5x6 |
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| STL86N3LLH6AG | STMICROELECTRONICS |
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汽车级N沟道30 V、4 mOhm典型值、80 A STripFET H6功率MOSFET |
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| STL8DN10LF3 | STMICROELECTRONICS |
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汽车级双路N沟道100 V、25 mOhm典型值、7.8 A STripFET F3功率M |
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| STL8DN6LF3 | STMICROELECTRONICS |
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汽车级双路N沟道60 V、22.5 mOhm典型值、7.8 A STripFET F3功率 |
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| STL8DN6LF6AG | STMICROELECTRONICS |
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汽车级双路N沟道60 V、21 mOhm典型值、32 A STripFET F6功率MOS |
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| STL8N10F7 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道100 V、0.017 Ohm典型值、35 A STripFET F7功率MOSFE |
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| STL8N10LF3 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 100 V, 25 mA typ., 7.8 A STripFET III Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package |
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| STL8N65M2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道650 V、1 Ohm典型值、4 A MDmesh M2功率MOSFET，Power |
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| STL8N6F7 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道60 V、0.019 Ohm典型值、8 A STripFET F7功率MOSFET， |
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