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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | 栅 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
13页 | 406K | |
描述 | ||
N-CHANNEL 200V - 0.10 OHM - 18A TO-220/TO-220FP/DPAK LOW GATE CHARGE STripFET II MOSFET |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-252AA |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.36 | 雪崩能效等级(Eas): | 110 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 200 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 18 A | 最大漏极电流 (ID): | 18 A |
最大漏源导通电阻: | 0.125 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-252AA | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 90 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 72 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FQD12N20TM | ONSEMI |
功能相似 |
功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,200 V,9.0 A,280 mΩ,DPAK | |
FQD12N20LTM | ONSEMI |
功能相似 |
功率 MOSFET,N 沟道,逻辑电平,QFET®,200 V,9.0 A,280 mΩ, | |
FQD12N20L | FAIRCHILD |
功能相似 |
200V LOGIC N-Channel MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STD20N20T4 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 200V - 0.10 OHM - 18A TO-220/TO-220FP/DPAK LOW GATE CHARGE STripFET II MOSFET | |
STD20NE03L | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ” SINGLE FEATURE | |
STD20NE03L1 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-251AA | |
STD20NE03L-1 | STMICROELECTRONICS |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-251AA | |
STD20NE03LT4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-252AA | |
STD20NE06 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ” SINGLE FEATURE | |
STD20NE06T4 | STMICROELECTRONICS |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-252AA | |
STD20NF06 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 60V - 0.032з - 24A DPAK STripFET II | |
STD20NF06L | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 60V - 0.032OHM - 24A - DPAK - IPAK STripFET II Power MOSFET | |
STD20NF06L | UMW |
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种类:N-Channel;漏源电压(Vdss):60V;持续漏极电流(Id)(在25°C时 |