STD20NE03L

更新时间： 2024-11-24 22:07:59

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ” SINGLE FEATURE SIZE ” POWER MOSFET

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STD20NE03L 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-252AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	140 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	20 A	最大漏源导通电阻：	0.026 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	100 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STD20NE03L 数据手册

STD20NE03L

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE

” SINGLE FEATURE SIZE ” POWER MOSFET

TYPE

V_DSS

R_DS(on)

I_D

STD20NE03L

30 V

< 0.020 Ω

20 A

■

TYPICAL R_DS(on)= 0.016 Ω

EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY

100% AVALANCHE TESTED

LOW GATE CHARGE A 100 ^oC

APPLICATION ORIENTED

CHARACTERIZATION

DESCRIPTION

This Power MOSFET is the latest development of

SGS-THOMSON unique ”Single Feature Size

strip-based process. The resulting transistor

shows extremely high packing density for low on-

resistance, rugged avalanche characteristics and

less critical alignment steps therefore a remark-

able manufacturingreproducibility.

IPAK

TO-251

(Suffix ”-1”)

DPAK

TO-252

(Suffix ”T4”)

”

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

APPLICATIONS

■

HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING

SOLENOID AND RELAY DRIVERS

■

MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS

DC-DC & DC-AC CONVERTERS IN HIGH

PERFORMANCE VRMs

■

AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,

ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_DS

Parameter

Value

Unit

Drain-source Voltage (V_GS= 0)

Drain- gate Voltage (R_GS= 20 kΩ)

Gate-source Voltage

Drain Current (continuous) at T_c= 25 ^oC

Drain Current (continuous) at T_c= 100 ^oC

Drain Current (pulsed)

V_DGR

V_GS

I_D

± 15

20**

100

I_D

_DM(• )

P_tot

Total Dissipation at T_c= 25 ^oC

Derating Factor

0.33

W/^oC

V/ns

^oC

dv/dt(¹) Peak Diode Recovery voltage slope

T_{st g}

Storage Temperature

-65 to 175

T_j

Max. Operating Junction Temperature

175

(•) Pulse width limited by safe operating area

(1) I_SD≤ 40 A,di/dt ≤ 300 A/µs, V_DD≤ V_(BR)DSS, T_j≤ T_JMAX

(**) Value limited only by the package

1/9

December 1997

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STD20NE03L1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 20A I(D) \| TO-251AA
STD20NE03L-1	STMICROELECTRONICS	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 20A I(D) \| TO-251AA
STD20NE03LT4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 20A I(D) \| TO-252AA
STD20NE06	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ” SINGLE FEATURE
STD20NE06T4	STMICROELECTRONICS	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 20A I(D) \| TO-252AA
STD20NF06	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 60V - 0.032з - 24A DPAK STripFET II
STD20NF06L	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 60V - 0.032OHM - 24A - DPAK - IPAK STripFET II Power MOSFET
STD20NF06L	UMW	获取价格	种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
STD20NF06L-1	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 60V - 0.032OHM - 24A - DPAK - IPAK STripFET II Power MOSFET
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