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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STD20NE03L-1
STD20NE03L-1 PDF预览

STD20NE03L-1

更新时间： 2024-01-16 17:25:42
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 106K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-251AA

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STD20NE03L-1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-251AA包装说明：TO-251, IPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.76
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：140 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A
最大漏极电流 (ID)：20 A最大漏源导通电阻：0.026 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：210 pF
JEDEC-95代码：TO-251AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：50 W最大功率耗散 (Abs)：50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：100 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大开启时间（吨）：243 nsBase Number Matches：1

STD20NE03L-1 数据手册

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STD20NE03L  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
” SINGLE FEATURE SIZE ” POWER MOSFET  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STD20NE03L  
30 V  
< 0.020 Ω  
20 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.016 Ω  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
LOW GATE CHARGE A 100 oC  
APPLICATION ORIENTED  
CHARACTERIZATION  
3
3
2
1
1
DESCRIPTION  
This Power MOSFET is the latest development of  
SGS-THOMSON unique ”Single Feature Size  
strip-based process. The resulting transistor  
shows extremely high packing density for low on-  
resistance, rugged avalanche characteristics and  
less critical alignment steps therefore a remark-  
able manufacturingreproducibility.  
IPAK  
TO-251  
(Suffix ”-1”)  
DPAK  
TO-252  
(Suffix ”T4”)  
”
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
■
■
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS IN HIGH  
PERFORMANCE VRMs  
■
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,  
ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
Parameter  
Value  
30  
Unit  
V
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
VDGR  
VGS  
ID  
30  
V
± 15  
20**  
20**  
100  
V
A
ID  
A
I
DM(• )  
A
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 oC  
50  
W
Derating Factor  
0.33  
7
W/oC  
V/ns  
oC  
oC  
dv/dt(1) Peak Diode Recovery voltage slope  
Tst g  
Storage Temperature  
-65 to 175  
Tj  
Max. Operating Junction Temperature  
175  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
(1) ISD ≤ 40 A,di/dt ≤ 300 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX  
(**) Value limited only by the package  
1/9  
December 1997  
1234567...9

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与STD20NE03L-1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STD20NE03LT4 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-252AA
STD20NE06 STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ” SINGLE FEATURE
STD20NE06T4 STMICROELECTRONICS

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-252AA
STD20NF06 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 60V - 0.032з - 24A DPAK STripFET II
STD20NF06L STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 60V - 0.032OHM - 24A - DPAK - IPAK STripFET II Power MOSFET
STD20NF06L UMW

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 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
STD20NF06L-1 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 60V - 0.032OHM - 24A - DPAK - IPAK STripFET II Power MOSFET
STD20NF06LAG STMICROELECTRONICS

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 		暂无描述
STD20NF06LT4 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 60V - 0.032Ω - 24A - DPAK - IPAK S
STD20NF06L-T4 STMICROELECTRONICS

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 		24A, 60V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, TO-252, DPAK-3

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