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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-251AA | 包装说明： | TO-251, IPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.88 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 40 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.4 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1.4 A | 最大漏源导通电阻： | 9 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-251AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 45 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 5.6 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD1NB60 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 600V - 7.4ohm - 1A - IPAK/DPAK PowerMESH MOSFET |
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| STD1NB60-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1A, 600V, 8.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3 |
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| STD1NB60T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1A, 600V, 8.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 |
|
| STD1NB80 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 800V - 16ohm - 1A - DPAK/IPAK PowerMESH MOSFET |
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| STD1NB80- | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 800V - 16ohm - 1A - IPAK PowerMESH MOSFET |
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| STD1NB80-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 800V - 16ohm - 1A - IPAK PowerMESH MOSFET |
|
| STD1NB80T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1A, 800V, 20ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 |
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| STD1NC40-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 400V- 8ohm - 1A - IPAK PowerMESH II MOSFET |
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| STD1NC60 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V - 7ohm - 1.4A - DPAK/IPAK Powe |
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| STD1NC70Z | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 700V - 7.3ohm - 1.4A TO-220/FP/DPAK |
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