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STD1NC40-1

更新时间： 2024-09-29 22:10:11
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
5页 54K
描述
N - CHANNEL 400V- 8ohm - 1A - IPAK PowerMESH II MOSFET

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STD1NC40-1 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-251
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.7雪崩能效等级（Eas）：20 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1 A最大漏极电流 (ID)：1 A
最大漏源导通电阻：10 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-251JESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：25 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：4 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STD1NC40-1 数据手册

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STD1NC40-1  
®
N - CHANNEL 400V - 8Ω - 1A - IPAK  
PowerMESH ΙΙ MOSFET  
PRELIMINARY DATA  
TYPE  
STD1NC40-1  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
400 V  
< 10 Ω  
1 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 8 Ω  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
2
1
DESCRIPTION  
Using the latest  
high  
voltage MESH  
IPAK  
TO-251  
(Suffix "-1")  
OVERLAY ΙΙ process, STMicroelectronics has  
designed an advanced family of power MOSFETs  
with outstanding performances. The new patent  
pending strip layout coupled with the Company’s  
proprietary edge termination structure, gives the  
lowest RDS(on) per area, exceptional avalanche  
and dv/dt capabilities and unrivalled gate charge  
and switching characteristics.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
SWITCH MODE LOW POWER SUPPLIES  
(SMPS)  
CFL  
■
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Parameter  
Value  
400  
Unit  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
V
V
400  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 k  
Gate-source Voltage  
)
Ω
30  
V
±
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
1
A
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
0.63  
A
IDM( )  
Drain Current (pulsed)  
4
A
•
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 oC  
25  
W
Derating Factor  
0.2  
3
W/oC  
V/ns  
oC  
oC  
dv/dt  
Tstg  
Tj  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
-65 to 150  
Max. Operating Junction Temperature  
150  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
(1) ISD ≤1A, di/dt ≤ 100 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX  
1/5  
12345

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