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STD2030PLS

更新时间: 2024-11-25 04:01:59
品牌 Logo 应用领域
三合微科 - SAMHOP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 788K
描述
P-Channel E nhancement Mode F ield Effect Transistor

STD2030PLS 数据手册

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S TU/D2030P LS  
S amHop Microelectronics C orp.  
Aug 20 2005  
P -C hannel E nhancement Mode Field E ffect Transistor  
FE ATUR E S  
PR ODUCT S UMMAR Y  
R DS (ON) ( m  
) Max  
VDS S  
ID  
S uper high dense cell design for low R DS (ON).  
R ugged and reliable.  
32 @ VG S = -10V  
55 @ VG S = -4.5V  
-20A  
-30V  
TO-252 and TO-251 P ackage.  
D
D
G
G
S
S TU S E R IE S  
TO-252AA(D-P AK)  
S TU S E R IE S  
TO-251(l-P AK)  
S
ABS OLUTE MAXIMUM R ATING S (T  
A
=25 C unless otherwise noted)  
P arameter  
Limit  
-30  
Unit  
V
S ymbol  
Drain-S ource Voltage  
V
V
DS  
G S  
V
G ate-S ource Voltage  
20  
-20  
-60  
-20  
50  
I
D
A
A
A
Drain C urrent-C ontinuous @ Tc=25 C  
-P ulsed a  
I
DM  
Drain-S ource Diode Forward C urrent  
I
S
Maximum P ower Dissipation  
@ Tc=25 C  
P D  
W
C
Operating J unction and S torage  
Temperature R ange  
T
J
, TS TG  
-55 to 175  
THE R MAL C HAR AC TE R IS TIC S  
Thermal R esistance, J unction-to-C ase  
3
C/W  
C/W  
R
J C  
J A  
50  
Thermal R esistance, J unction-to-Ambient  
R
1

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