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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 5页 | 58K |  |
| 描述 | ||
| N - CHANNEL 800V - 16ohm - 1A - IPAK PowerMESH MOSFET | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-251 | 包装说明： | IPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.81 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 90 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 800 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1 A | 最大漏源导通电阻： | 20 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-251 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 4 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD1NB80T4 | STMICROELECTRONICS |
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1A, 800V, 20ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 |
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| STD1NC40-1 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 400V- 8ohm - 1A - IPAK PowerMESH II MOSFET |
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| STD1NC60 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 600V - 7ohm - 1.4A - DPAK/IPAK Powe |
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| STD1NC70Z | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 700V - 7.3ohm - 1.4A TO-220/FP/DPAK |
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| STD1NC70Z-1 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 700V - 7.3ohm - 1.4A TO-220/FP/DPAK |
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| STD1NC70ZT4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 700V V(BR)DSS | 1.4A I(D) | TO-252AA |
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| STD1NK60 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 600V - 8 - 1A DPAK / IPAK / TO-92 SuperMESH Power MOSFET |
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| STD1NK60_08 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 600V - 8Ω - 1A DPAK/TO-92/IPAK/SOT- |
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| STD1NK60-1 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 600V - 8 - 1A DPAK / IPAK / TO-92 SuperMESH Power MOSFET |
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| STD1NK60T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V - 8 - 1A DPAK / IPAK / TO-92 SuperMESH Power MOSFET |
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