STD123ASF

更新时间： 2025-08-02 09:01:11

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可天士 - KODENSHI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	258K
描述
NPN Silicon Transistor

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STD123ASF 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	1 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	400
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.35 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

STD123ASF 数据手册

STD123ASF

NPN Silicon Transistor

Features

PIN Connection

• High β& low saturation transistor.

h_FE=400 Min. @V_CE=1V, Ic=100mA

• Suitable for large current drive directly.

• Application for IRED Drive transistor in remote

transmitter.

SOT-23F

Ordering Information

Type NO.

Marking

Package Code

12A □

STD123ASF

SOT-23F

①

②

① Device Code ② Year&Week Code

Absolute maximum ratings

Characteristic

(Ta=25°C)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

Collector-Base voltage

Collector-Emitter voltage

Emitter-Base voltage

Collector current

Collector dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

350

150

-55~150

°C

T_j

T_stg

* : Package mounted on 99.5% alumina 10×8×0.1mm

Electrical Characteristics

(Ta=25°C)

Characteristic

Collector-Base breakdown voltage

Collector-Emitter breakdown voltage

Emitter-Base breakdown voltage

Collector cut-off current

Symbol

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

Test Condition

Min. Typ. Max. Unit

I_C=50μA, I_E=0

I_C=1mA, I_B=0

I_E=50μA, I_C=0

V_CB=10V, I_E=0

0.1

μA

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB=3V, I_C=0

DC current gain

h_FE

V_CE=1V, I_C=100mA

I_C=500mA, I_B=50mA

V_CE=5V, I_C=50mA

V_CB=10V, I_E=0, f=1MHz

f=1KHz, I_B=1mA, V_IN=0.3V

400

Collector-Emitter saturation voltage

Transistor frequency

V_CE(sat)

f_T

0.1

260

0.3

MHz

Collector output capacitance

On resistance

C_ob

R_ON

0.6

KSD-T5C077-000

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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STD123S	AUK	获取价格	NPN Silicon Transistor
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STD123S	CJ	获取价格	SOT-23
STD123S	FOSHAN	获取价格	SOT-23
STD123S	DGNJDZ	获取价格	Pcm(mW) : 350; Ic(mA) : 1; BVCBO(V) : 20; BVCEO(V) : 15; BVEBO(V) : 6.5; Min : 150; Max :
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