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STD129

更新时间: 2024-11-01 22:21:15
品牌 Logo 应用领域
韩国光电子 - AUK 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 57K
描述
NPN Silicon Transistor

STD129 技术参数

生命周期:Contact ManufacturerReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.8Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):5 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):40最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.625 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
Base Number Matches:1

STD129 数据手册

 浏览型号STD129的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STD129的Datasheet PDF文件第3页 
STD129  
Semiconductor  
NPN Silicon Transistor  
Description  
· Extremely low collector-to-emitter saturation voltage  
( VCE(SAT)=0.2V Typ. @IC /IB=3A/150mA)  
· Suitable for low voltage large current drivers  
· Switching Application  
Ordering Information  
Type NO.  
Marking  
Package Code  
TO-92  
STD129  
STD129  
Outline Dimensions  
unit : mm  
3.45±0.1  
2.25±0.1  
4.5±0.1  
0.4±0.02  
2.06±0.1  
1.27 Typ.  
2.54 Typ.  
1 2 3  
PIN Connections  
1. Emitter  
2. Collector  
3. Base  
KST-9060-001  
1

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