STD123S

更新时间： 2024-01-27 08:34:05

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可天士 - KODENSHI		晶体小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	247K
描述
NPN Silicon Transistor

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STD123S 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.74
最大集电极电流 (IC)：	1 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	150	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

STD123S 数据手册

STD123S

NPN Silicon Transistor

Features

• Low saturation medium current application

• Extremely low collector saturation voltage

• Suitable for low voltage large current drivers

• High DC current gain and large current capability

• Low on resistance : R_ON=0.6Ω(Max.) (I_B=1mA)

PIN Connection

Ordering Information

Type No.

Marking

Package Code

123 □

STD123S

SOT-23

①

②

SOT-23

①Device Code ② Year&Week Code

Absolute maximum ratings

Characteristic

(Ta=25°C)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

Collector-Base voltage

Collector-Emitter voltage

Emitter-Base voltage

Collector current

6.5

Collector dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

350

°C

T_j

150

T_stg

-55~150

* : Package mounted on 99.5% alumina 10×8×0.1mm

Electrical Characteristics

(Ta=25°C)

Characteristic

Collector-Base breakdown voltage

Collector-Emitter breakdown voltage

Emitter-Base breakdown voltage

Collector cut-off current

Symbol

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

Test Condition

Min. Typ. Max. Unit

I_C=50μA, I_E=0

6.5

I_C=1mA, I_B=0

I_E=50μA, I_C=0

V_CB=20V, I_E=0

0.1

μA

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB=6V, I_C=0

DC current gain

h_FE

V_CE=1V, I_C=100mA

I_C=500mA, I_B=50mA

V_CE=5V, I_C=50mA

V_CB=10V, I_E=0, f=1MHz

f=1KHz, I_B=1mA, V_IN=0.3V

150

Collector-Emitter saturation voltage

Transistor frequency

V_CE(sat)

f_T

0.1

260

0.3

MHz

Collector output capacitance

On resistance

C_ob

R_ON

0.6

KSD-T5C034-001

12 3 4

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