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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STD12N06L
STD12N06L PDF预览

STD12N06L

更新时间： 2024-11-28 22:21:15
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
10页 178K
描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR

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STD12N06L 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-252
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.15Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：30 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：12 A最大漏源导通电阻：0.15 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：48 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STD12N06L 数据手册

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STD12N05L  
STD12N06L  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR  
TYPE  
STD12N05L  
STD12N06L  
VDSS  
50 V  
60 V  
RDS(on)  
< 0.15 Ω  
< 0.15 Ω  
ID  
12 A  
12 A  
■
■
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.115 Ω  
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY  
100% AVALANCHE TESTED  
3
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC  
LOW GATE CHARGE  
3
2
1
1
LOGIC LEVEL COMPATIBLE INPUT  
175oC OPERATING TEMPERATURE  
APPLICATION ORIENTED  
IPAK  
TO-251  
DPAK  
TO-252  
CHARACTERIZATION  
■
■
THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER  
PACKAGE IN TUBE (SUFFIX ”-1”)  
SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252)  
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL  
(SUFFIX ”T4”)  
(Suffix ”-1”)  
(Suffix ”T4”)  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
REGULATORS  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,  
ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STD12N05L  
STD12N06L  
VDS  
VDG R  
VGS  
ID  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
50  
50  
60  
60  
V
V
± 15  
12  
V
A
ID  
8
A
IDM(•)  
Ptot  
48  
A
Total Dissipation at Tc = 25 oC  
45  
W
Derating Factor  
0.3  
W/oC  
oC  
oC  
Tstg  
Tj  
Storage Temperature  
-65 to 175  
175  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/10  
November 1996  
1234567...10

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与STD12N06L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STD12N06L-1 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-251
STD12N06LT4 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-252
STD12N06T4 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-252
STD12N10L STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL 100V - 0.12 ohm - 12A TO-252 LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR
STD12N10LT4 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		12A, 100V, 0.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
STD12N50DM2 STMICROELECTRONICS

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 		N沟道500 V、0.299 Ohm典型值、11 A MDmesh DM2功率MOSFET
STD12N50M2 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道500 V、0.325 Ohm典型值、10 A MDmesh M2功率MOSFET，
STD12N60DM2AG STMICROELECTRONICS

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 		汽车级N沟道600 V、0.370 Ohm典型值、10 A MDmesh DM2功率MOS
STD12N60DM6 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package
STD12N60M2 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道600 V、0.395 Ohm典型值、9 A MDmesh M2功率MOSFET，D

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