STD12N05L

更新时间： 2024-11-01 22:21:15

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR

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STD12N05L 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.16	雪崩能效等级（Eas）：	30 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	50 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A
最大漏极电流 (ID)：	12 A	最大漏源导通电阻：	0.15 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	45 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STD12N05L 数据手册

STD12N05L

STD12N06L

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE

LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR

TYPE

STD12N05L

STD12N06L

V_DSS

50 V

60 V

R_DS(on)

< 0.15 Ω

I_D

12 A

■

TYPICAL R_DS(on)= 0.115 Ω

AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY

100% AVALANCHE TESTED

REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100^oC

LOW GATE CHARGE

LOGIC LEVEL COMPATIBLE INPUT

175^oC OPERATING TEMPERATURE

APPLICATION ORIENTED

IPAK

TO-251

DPAK

TO-252

CHARACTERIZATION

■

THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER

PACKAGE IN TUBE (SUFFIX ”-1”)

SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252)

POWER PACKAGE IN TAPE & REEL

(SUFFIX ”T4”)

(Suffix ”-1”)

(Suffix ”T4”)

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

APPLICATIONS

■

HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING

SOLENOID AND RELAY DRIVERS

REGULATORS

DC-DC & DC-AC CONVERTERS

MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS

AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,

ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Parameter

Value

Unit

STD12N05L

STD12N06L

V_DS

V_{DG R}

V_GS

I_D

Drain-source Voltage (V_GS= 0)

Drain- gate Voltage (R_GS= 20 kΩ)

Gate-source Voltage

Drain Current (continuous) at T_c= 25 ^oC

Drain Current (continuous) at T_c= 100 ^oC

Drain Current (pulsed)

± 15

I_D

I_DM(•)

P_tot

Total Dissipation at T_c= 25 ^oC

Derating Factor

0.3

W/^oC

^oC

T_stg

T_j

Storage Temperature

-65 to 175

175

Max. Operating Junction Temperature

(•) Pulse width limited by safe operating area

1/10

November 1996

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STD12N05L-1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 50V V(BR)DSS \| 12A I(D) \| TO-251
STD12N05LT4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 50V V(BR)DSS \| 12A I(D) \| TO-252
STD12N05T4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 50V V(BR)DSS \| 12A I(D) \| TO-252
STD12N06	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STD12N06-1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 12A I(D) \| TO-251
STD12N06L	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR
STD12N06L-1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 12A I(D) \| TO-251
STD12N06LT4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 12A I(D) \| TO-252
STD12N06T4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 12A I(D) \| TO-252
STD12N10L	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL 100V - 0.12 ohm - 12A TO-252 LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR

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