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SSU1N50ATU

更新时间： 2024-01-07 14:12:03

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
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7页	640K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SSU1N50ATU 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.88	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.3 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	26 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SSU1N50ATU 数据手册

N-CHANNEL

POWER MOSFET

SSR/U1N50A

Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms

DUT

V_DS

I_S

Driver

V_GS

Same Type

as DUT

R_G

V_DD

V_GS

• dv/dt controlled by “R_G”

• I_Scontrolled by Duty Factor “D”

Gate Pulse Width

--------------------------

V_GS

D =

Gate Pulse Period

10V

( Driver )

I_FM, Body Diode Forward Current

I _S

di/dt

( DUT )

I_RM

Body Diode Reverse Current

Body Diode Recovery dv/dt

V_f

V_DS

( DUT )

V_DD

Body Diode

Forward Voltage Drop

1...3 4 567

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与SSU1N50ATU相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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SSU1N50BTU	ONSEMI	520 V N 沟道 MOSFET	获取价格
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SSU1N60	SAMSUNG	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-	获取价格
SSU1N60A	FAIRCHILD	Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 600V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta	获取价格
SSU1N60ATU	FAIRCHILD	暂无描述	获取价格