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SSU1N60

更新时间: 2024-09-13 21:20:31
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 28K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, IPAK-3

SSU1N60 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.76
Is Samacsys:N配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:600 V最大漏极电流 (Abs) (ID):1 A
最大漏极电流 (ID):1 A最大漏源导通电阻:12 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):20 pF
JESD-30 代码:R-PSIP-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:40 W
最大功率耗散 (Abs):40 W最大脉冲漏极电流 (IDM):3 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON最大关闭时间(toff):90 ns
最大开启时间(吨):35 nsBase Number Matches:1

SSU1N60 数据手册

  

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