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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SSU1N50B
SSU1N50B PDF预览

SSU1N50B

更新时间： 2024-01-09 15:00:58
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 636K
描述
520V N-Channel MOSFET

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SSU1N50B 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Not Recommended
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：7 weeks风险等级：5.36
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：100 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：520 V
最大漏极电流 (ID)：1.3 A最大漏源导通电阻：5.3 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-251
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：5 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SSU1N50B 数据手册

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SSR1N50B / SSU1N50B  
520V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switch mode power supplies,  
power factor correction and electronic lamp ballasts based  
on half bridge.  
•
•
•
•
•
•
1.3A, 520V, R  
= 5.3Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 8.3 nC)  
Low Crss ( typical 5.5 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
D
●
◀
▲
●
●
G!  
D-PAK  
SSR Series  
I-PAK  
SSU Series  
G
S
G D S  
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
SSR1N50B / SSU1N50B  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
520  
1.3  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
0.82  
5.0  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
100  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
1.3  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
2.6  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
5.5  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
2.5  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
26  
W
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.21  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
T , T  
J
stg  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
4.76  
50  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
θJA  
--  
--  
110  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. C, May 2002  
1234567...9

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
SSU1N50BTU ONSEMI 520 V N 沟道 MOSFET

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